在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議ISSCC 2009上，Intel拿出了32nm Westmere處理器，SanDisk也同樣帶來(lái)了32nm工藝，只不過(guò)會(huì)用在NAND閃存上。

SanDisk宣布與東芝合作研發(fā)32nm MLC NAND閃存存儲(chǔ)技術(shù)，生產(chǎn)32Gb 3bit/cell(X3)閃存芯片，可廣泛用于高速存儲(chǔ)卡和固態(tài)硬盤(pán)等產(chǎn)品。

SanDisk的***代X3技術(shù)是在一年半前的56nm工藝上實(shí)現(xiàn)的，現(xiàn)在43nm工藝上的是第二代，即將配合32nm的則是第三代技術(shù)。

SanDisk稱，規(guī)劃中的32nm 32Gb X3芯片將是最小尺寸的NAND閃存核心，面積僅僅113平方毫米，同時(shí)存儲(chǔ)密度也是***的，能在相似的核心面積上提供兩倍于43nm MicroSD芯片的容量，另外借助SanDisk的專利技術(shù)All-Bit-Line，能有效確保足夠的寫(xiě)入性能。

SanDisk預(yù)計(jì)將在今年下半年開(kāi)始投產(chǎn)這種32nm 32Gb X3閃存。