【51CTO快譯】很多想要考取CCIE 的人都在尋找一種CCIE 學(xué)習(xí)方法，以便能夠更好地記下并記住新的知識和信息。好記憶的***敵人是一個(gè)非常簡單而又令人不快的事實(shí)：你記得越多，忘得越快。事實(shí)上，我們以此為開端，然后可以寫出一個(gè)微分等式，用來描述遺忘過程：

dY(t)/dt = V – aY(t)

其中，Y(t) 表示在 t 這一時(shí)刻，已記下的信息量，V 表示記下信息的速度。– aY(t) 部分表示上面所說的遺忘效應(yīng)，即遺忘速度與學(xué)習(xí)的信息總量成正比。

利用這個(gè)等式，我們很容易就可以得到：

Y(t) = V/a+const*exp(-at)

這個(gè)等式主要表示，我們記憶的信息總量與學(xué)習(xí)速度是成比例的。只有時(shí)間在繼續(xù)，記憶消退的指數(shù)部分就不會(huì)有很多的影響。你一旦停止學(xué)習(xí)新信息（或重復(fù)學(xué)習(xí)舊知識），你的知識總量就指數(shù)部分的速度減少。對于我們這個(gè)已經(jīng)不夠安寧的世界來說，這不是***的消息。

還是讓我們回到真實(shí)世界吧，上文所述可能聽起來感覺像個(gè)科學(xué)怪胎，而且相當(dāng)具有說服力。不過，幸運(yùn)的是，這個(gè)模式因太過簡單而不可能準(zhǔn)確。當(dāng)它仍然表明了一個(gè)重要的事實(shí)——除非你主動(dòng)去學(xué)習(xí)，你就會(huì)遺憾。這一等式的解答展示了著名的艾賓浩斯曲線效應(yīng)（遺忘曲線），人們在一個(gè)世紀(jì)以前就已發(fā)現(xiàn)了這種效應(yīng)。

有兩種方法可以幫助你克服遺忘效應(yīng)，他們是：主動(dòng)學(xué)習(xí)和間隔重復(fù)學(xué)習(xí)。下面讓我們開始吧……

主動(dòng)閱讀

主動(dòng)學(xué)習(xí)有多種方式。最基本的一種方式涉及將知識轉(zhuǎn)換為一系列的問題，而這些問題能夠以簡短的方式回答。

開始時(shí)，你可以把大量的知識看一遍而不用提出任何問題。再來一遍，這次寫下你的問題。對于這些問題，你要盡量使它們的回答簡單并容易記憶。不要將多個(gè)概念混合在同一個(gè)問題中。***遍你可以寫下了很多問題，而且應(yīng)該是最核心的問題。但是，過來一段時(shí)間，當(dāng)返回來重新學(xué)習(xí)這些材料時(shí)，你將會(huì)消減問題的數(shù)量。保留所有圖片和數(shù)字是一個(gè)好想法，因?yàn)樗鼈兛梢宰鳛槟阋曈X記憶的錨點(diǎn)（anchor）。

當(dāng)然，你可以將這種“問問題”流程應(yīng)用到所有材料和信息上，比如，CCIE 技術(shù)練習(xí)實(shí)驗(yàn)。對于這樣的問題：“How would you configure GDOI profile?”你可以將 IOS 代碼示例作為答案。不要忘記鍵入代碼示例，不要使用復(fù)制粘貼來輸入。

你可能覺得這種方法有點(diǎn)簡單。不過，確實(shí)還有其他方法——更為復(fù)雜的主動(dòng)閱讀方法，比如 SQ3R（一種五步閱讀法，是 Survey、Question、Read、Recite 和 Review 的縮寫）。

所有主動(dòng)閱讀方法都要求高度集中注意力和練習(xí)，但結(jié)果的確是物有所值。現(xiàn)在讓我們進(jìn)入下一個(gè)階段：

間隔重復(fù)學(xué)習(xí)

雖然主動(dòng)閱讀對于學(xué)習(xí)非常有幫助，當(dāng)你仍然需要重復(fù)來讓你知識保持活力。對于***重復(fù)時(shí)間間隔，已經(jīng)存在一些研究，你可以在互聯(lián)網(wǎng)上找到。對于我個(gè)人，我比較喜歡使用為 SupeMemo 應(yīng)用程序開發(fā)的算法。強(qiáng)烈推薦所有人都看看下面這篇文章：Using Supermemo method without a computer。這篇文章提供了一個(gè)表，并建議***重復(fù)時(shí)間間隔為：4、7、12、20 和一個(gè)月。這個(gè)列表可以延續(xù)到以年為單位，但對于備考這一目的，你可以在 20 天或一個(gè)月的時(shí)候停止。

在間隔重復(fù)學(xué)習(xí)時(shí)，減少問題的數(shù)量，壓縮信息并只保留關(guān)鍵的概念。將注意力集中到核心知識上可以減少信息量，但仍然能夠幫助你記憶。如果你正在練習(xí) IOS 配置，在第二遍和第三遍重復(fù)學(xué)習(xí)時(shí)，請確保使用“記事本”的復(fù)制和粘貼來輸入配置。從第三次重復(fù)學(xué)習(xí)開始，你甚至可以不再使用真正的路由器。如果覺得這種學(xué)習(xí)流程太過消耗時(shí)間，你可以只進(jìn)行 3 次間隔重復(fù)學(xué)習(xí)，就可以結(jié)束。

對于相應(yīng)的訓(xùn)練計(jì)劃，上文提供的鏈接能夠給你一些建議。你也可以使用一些現(xiàn)代化日歷軟件（或者 SuperMemo 軟件），進(jìn)一步完善它。例如，你可以使用 Google Calendar 來安排管理事務(wù)，你可以與朋友分享你的日歷并查看，查看所有進(jìn)展情況。

假設(shè)，你現(xiàn)在正在學(xué)習(xí)我們的 IEWB-RS VOL1（技術(shù)實(shí)驗(yàn)）。選擇一定量的資料，你可以每天很輕松地進(jìn)行練習(xí)，不要給自己太多壓力。比如，你今天使用主動(dòng)學(xué)習(xí)方法，花費(fèi)了一些時(shí)間來學(xué)習(xí) IEWB-RS VOL1 Labs 13.1-13.5。結(jié)束時(shí)，你學(xué)習(xí)的結(jié)果是為每個(gè)實(shí)驗(yàn)寫下一系列精選的問題和答案。之后，在你的日歷上添加注釋，重復(fù)同一實(shí)驗(yàn)，時(shí)間間隔為 4、7 和 12 天。這樣，你就得到了一份學(xué)習(xí)計(jì)劃。請注意，重復(fù)學(xué)習(xí)所需時(shí)間少于全面的學(xué)習(xí)。因此，你可以很輕松地將第三遍和第四遍復(fù)習(xí)與學(xué)習(xí)另外五個(gè)實(shí)驗(yàn)結(jié)合起來；如果你的技術(shù)知識面很廣，甚至可以將 IEWB-RS VOL2 所有實(shí)驗(yàn)與 VOL1 的技術(shù)實(shí)驗(yàn)結(jié)合在一起學(xué)習(xí)。

對于學(xué)習(xí) VOL2 實(shí)驗(yàn)，我們提供一些提示?？偣灿?20 個(gè)實(shí)驗(yàn)，全部過一遍，你可能需要很多時(shí)間，因?yàn)閱蝹€(gè)實(shí)驗(yàn)需 8-16 個(gè)小時(shí)。你可以使用以下指南進(jìn)行學(xué)習(xí)：

1. 不要開始學(xué)習(xí) VOL2 實(shí)驗(yàn)，除非對于 VOL1 中的大部分技術(shù)你已經(jīng)非常自信。這是重要的，因?yàn)?VOL2 不是用來“輕松閱讀”的

2. 開始學(xué)習(xí)過程中，標(biāo)記你覺得困難的任務(wù)。在第二遍的復(fù)習(xí)時(shí)，通讀實(shí)驗(yàn)的所有核心部分，已經(jīng)標(biāo)記為非核心的任務(wù)。

3. 在第三次的復(fù)習(xí)過程中，跳過實(shí)驗(yàn)文本和解決方案，集中處理那些被你標(biāo)記為“困難”的任務(wù)。重復(fù)對于三次，可能不會(huì)有更多益處，但如果你有很多空閑時(shí)間，你可以做到四次重復(fù)。

在備考的***階段，你將會(huì)發(fā)現(xiàn)自己做重復(fù) VOL1/VOL2 實(shí)驗(yàn)的精選信息。在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)考試之前，你可以至少做一到兩個(gè) Mock Labs 測試來檢驗(yàn)一下你的學(xué)習(xí)。Mock Labs 不是用來“重復(fù)”的，每次你應(yīng)安排不同的新實(shí)驗(yàn)，已獲得更加公正的結(jié)果。不過，如果你想要測試工具能調(diào)整到你的學(xué)習(xí)登記，并且每次都變化，那你可以試試 Polymorphic Assessment Lab，它能夠根據(jù)相同的物理拓?fù)渥詣?dòng)生成不同的實(shí)驗(yàn)。

現(xiàn)在，***一部分：如果你想要記住你學(xué)過的知識，以每月和每年為基準(zhǔn)，不斷復(fù)習(xí)這些知識。這可能是一個(gè)長達(dá)一生的日程表，因?yàn)槟銜?huì)不斷為你的復(fù)習(xí)日歷添加新的信息。這一過程本身有其價(jià)值所在，因?yàn)橹鲃?dòng)學(xué)習(xí)方法以及***的間隔重復(fù)學(xué)習(xí)已經(jīng)證實(shí)是非常有效的學(xué)習(xí)工具。

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原文：How to study for your CCIE      作者： Petr Lapukhov

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