自從DRAM SSD取代磁頭磁盤以來(lái)，企業(yè)Tier 0存儲(chǔ)已經(jīng)變得快速且專有，并且除了快速的存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)傳輸以外，很少提供其它功能。

這一切都隨著NVMe協(xié)議的到來(lái)而發(fā)生變化，這是新一代Tier 0存儲(chǔ)的支撐性技術(shù)。

FTL(flash translation layer)是上一代Tier 0存儲(chǔ)的秘密武器。Violin Memory、Fusion-io和Texas Memory Systems (TMS)都使用現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)和專用集成電路來(lái)控制原始閃存，并將其模擬成硬盤驅(qū)動(dòng)器。

[[191116]]

在FTL植入SSD獲得商用后，有的廠商，例如Pure Storage和SolidFire等，開始在軟件層面發(fā)力。由于軟件開發(fā)的節(jié)奏更快，他們能夠開發(fā)出性能相當(dāng)?shù)钠髽I(yè)功能集，滿足90%潛在客戶群的需要，例如一級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)的預(yù)期性能可達(dá)幾十萬(wàn)IOPS，延遲小于1毫秒。

Tier 0存儲(chǔ)和一級(jí)存儲(chǔ)之間的性能差異并不足以讓用戶停止使用快照和重復(fù)數(shù)據(jù)刪除。這種形勢(shì)導(dǎo)致了Violin破產(chǎn)，TMS被IBM納入囊中，與IBM自己的FTL和陣列軟件結(jié)合到一起。

今天，性能世界正在與NVMe聯(lián)系在一起，NVMe是PCIe SSD的標(biāo)準(zhǔn)編程接口。這一市場(chǎng)的主要參與者正在努力推動(dòng)NVMe成為下一個(gè)大事件：從帶有M.2插槽的筆記本電腦，到下一代存儲(chǔ)系統(tǒng)中的附加卡和U.2熱插拔驅(qū)動(dòng)器。

下一步：網(wǎng)絡(luò)

下一步就是找到一種方法來(lái)共享使用低延遲NVMe SSD。過(guò)去一兩年間，新一批初創(chuàng)企業(yè)紛紛涌現(xiàn)，包括Apeiron Data Systems、Mangstor、E8 Storage和Excelero等，他們以NVMe over networks的形式構(gòu)建自己的產(chǎn)品。這些系統(tǒng)能夠達(dá)到數(shù)十萬(wàn)IOPS，而延遲在1到200微秒之內(nèi)。他們提供共享存儲(chǔ)，但是，跟Violin和TMS一樣，能提供的數(shù)據(jù)服務(wù)有限。

隨著這些產(chǎn)品紛紛上市，NVMe over Fabrics(NVMe-oF)標(biāo)準(zhǔn)也悄然興起。NVMe-oF將NVMe命令集在低延遲的遠(yuǎn)程直接內(nèi)存訪問(wèn)(RDMA)網(wǎng)絡(luò)(例如使用了RDMA over Converged Ethernet或internet Wide Area RDMA協(xié)議的InfiniBand或100 Gbps以太網(wǎng))上進(jìn)行了擴(kuò)展。英特爾甚至在其存儲(chǔ)性能開發(fā)工具包中構(gòu)建了低開銷的NVMe-oF驅(qū)動(dòng)程序。

我認(rèn)為所有這些商用化都意味著留給新的Tier 0存儲(chǔ)供應(yīng)商的機(jī)會(huì)窗口將比Violin和TMS的更短。Dell EMC的DSSD已經(jīng)被干掉，這就是個(gè)很好的例子，說(shuō)明再優(yōu)秀的定制硬件項(xiàng)目都可能被另一種商品化替代方案攔腰斬?cái)唷?/p>

Pure Storage新推出的FlashArray//X使用了20個(gè)NVMe閃存模塊，同時(shí)仍然提供iSCSI和光纖通道LUNs。Tegile目前的系統(tǒng)里有四個(gè)U.2插槽，當(dāng)搭載了Tegile授權(quán)的U.2雙端口SSDs時(shí)，可作為一個(gè)高性能存儲(chǔ)層使用。

在Pure Storage和Tegile等廠商達(dá)到2至400毫秒范圍的延遲之前，新的Tier 0存儲(chǔ)供應(yīng)商還有機(jī)會(huì)通過(guò)開發(fā)快照和其他基本數(shù)據(jù)服務(wù)來(lái)保持競(jìng)爭(zhēng)。如果失敗了，他們就只能被限制在幾個(gè)潛在的客戶身上。

如果沒(méi)有別的話，讓我們拭目以待。