近段時間以來，DIY市場振動不斷，從顯卡到內(nèi)存，從硬盤到CPU，各條產(chǎn)品線在價格上都出現(xiàn)了較大波動。從暑假期間的“挖礦”引發(fā)顯卡價格瘋長，到如今英特爾全新八代CPU發(fā)售引發(fā)的CPU全行業(yè)缺貨，無一不讓普通DIY用戶苦惱，為何每當(dāng)要裝機時，各種硬件都在漲價呢?

當(dāng)然除了這些偶然因素引發(fā)的DIY硬件漲價外，從去年第三季度開始一路瘋漲的固態(tài)硬盤，以及進而引發(fā)的內(nèi)存產(chǎn)品在內(nèi)的全系存儲產(chǎn)品的價格狂飆。

特別是當(dāng)看到一年前，還僅僅只賣不到200元的8GB內(nèi)存條，現(xiàn)如今居然賣到了800、900元的高價時，更是讓筆者在內(nèi)的DIY忠實愛好者，不禁感嘆，“早知道，囤點內(nèi)存條就好了”。

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存儲產(chǎn)品在瘋狂漲價一年后，并沒有降價的跡象，究其原因，業(yè)界其實早有定論。無外乎，閃存顆粒缺貨。那么閃存顆粒的缺貨為什么會導(dǎo)致存儲產(chǎn)品的長久性的漲價?閃存顆粒到底又是何物?存儲產(chǎn)品和閃存顆粒又有哪些聯(lián)系?下面，筆者就從此次存儲產(chǎn)品漲價風(fēng)波出發(fā)，和大家一起談?wù)勯W存顆粒那些事。

存儲顆粒決定產(chǎn)品成本

所謂閃存顆粒，通常都簡稱為閃存。 它其實是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單位，而不是以單個的字節(jié)為單位。

同時閃存不像RAM(隨機存取存儲器)一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM;但是在工藝上，無論是閃存顆粒、還是內(nèi)存的DRAM顆粒，亦或是手機內(nèi)存 RAM顆粒，甚至是顯卡產(chǎn)品上的顯存顆粒，都是大同小異的，都是在通過晶圓廠商的切割后，在不同組裝線上進行精細化的加工合成。

回到閃存顆粒上，由于閃存具有非易失性(即斷電后還能保存數(shù)據(jù)的特性)，以及具有穩(wěn)定性、高性能、小體積等諸多優(yōu)點，成為了當(dāng)下存儲產(chǎn)品***存儲原料。

所謂“固態(tài)硬盤”名稱的由來，也是源于閃存顆粒遠優(yōu)于傳統(tǒng)機械硬盤中機械磁盤的堅固牢靠等特點?？梢哉f，固態(tài)硬盤的出現(xiàn)和大發(fā)展，大部分要歸功于閃存技術(shù)的發(fā)展和革新，因而固態(tài)硬盤內(nèi)部的絕大部分成本，或者說存儲產(chǎn)品內(nèi)部的絕大部分成本都取決于存儲顆粒。

閃存顆粒的技術(shù)和發(fā)展現(xiàn)狀

由于閃存顆粒在當(dāng)代對于存儲產(chǎn)品的重要性，根據(jù)其內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)不同，全球閃存產(chǎn)品主要有三種，SLC(單層次存儲單元)、MLC(雙層存儲單元)以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價上有著明顯的區(qū)別。

SLC(單層式存儲)，單層電子結(jié)構(gòu)，寫入數(shù)據(jù)時電壓變化區(qū)間小，壽命最長，但是造價昂貴，多用于企業(yè)級高端產(chǎn)品。

MLC(多層式存儲)，使用高低電壓的而不同構(gòu)建的雙層電子結(jié)構(gòu)，壽命相對較長長，造價可接受，多用民用高端產(chǎn)品。

TLC(三層式存儲)，是MLC閃存延伸，TLC達到3bit/cell。存儲密度***，容量是MLC的1.5倍。 造價成本***， 使命壽命相對較低，性價比高，是當(dāng)下主流廠商***閃存顆粒。

除此之外，近年來部分存儲巨頭，甚至已經(jīng)在研發(fā)擁有四層存儲單元、更高的存儲密度的QLC閃存顆粒。當(dāng)然，除了在平面上進行單個晶圓內(nèi)部的存儲容量的研發(fā)外，更加成熟、更加激進的研發(fā)方向其實是在3D立體存儲容量上的革新，即3D NAND閃存技術(shù)。

所謂3D NAND閃存技術(shù)，其實就是在原本只有兩個方向即平面上進行顆粒排列的晶圓上，通過技術(shù)手段，進行顆粒的疊加，即在垂直方向上進行多個顆粒的堆疊，以實現(xiàn)單個晶圓的存儲容量的大規(guī)模提升。

可以簡單理解為，2D NAND技術(shù)就如同在一片空地上建造平房，但是空地面積是有限，超過空地總面積，也無法建造新的平房，而這些平房就可以理解為存儲空間。相對應(yīng)的3D NAND技術(shù)就像是同一片空地上建造樓房，理論上可以***延伸內(nèi)部空間，即使空地面積完全建完，也可以通過提高樓房的高度，創(chuàng)造新的空間。

如今，閃存行業(yè)，比較成熟和性價比高的技術(shù)依舊是64層3D NAND技術(shù)，在今年年底72層3D NAND技術(shù)應(yīng)該可以實現(xiàn)較大的突破，甚至實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，更有甚者部分領(lǐng)軍企業(yè)已經(jīng)在研發(fā)96層以及更高堆疊層數(shù)的3D NAND顆粒了。

存儲產(chǎn)品漲價的內(nèi)外因分析

在了解了相當(dāng)多的閃存知識之后，我們可以再回過頭來，一起聊聊存儲產(chǎn)品為何會出現(xiàn)如此的暴漲。核心原因，以閃存顆粒為代表的原材料缺貨，這里不單提閃存顆粒，是因為內(nèi)存等產(chǎn)品其實是DARM顆粒的缺貨，以免引發(fā)爭議，其實本質(zhì)上二者的原料和工藝相差不大。

那么閃存顆粒等原材料為何缺貨呢?一聊到這里，不少熱心網(wǎng)友一定會熱血沸騰、煞有其事的說到，“肯定是三星等閃存廠商背后操縱產(chǎn)量，引發(fā)缺貨，價格上漲”。

對于此，筆者不發(fā)表任何態(tài)度，對于陰謀論，什么時候都會有，任何事件都會有人提，在這里筆者僅僅說說個人看法。閃存顆粒等原材料(包括內(nèi)存DARM顆粒)的原因，主要有兩個，也可以說是兩方面。一方面是內(nèi)因，另一個是外因。

內(nèi)因是，晶圓技術(shù)不夠成熟，良品率不高，導(dǎo)致供不應(yīng)求。以閃存顆粒技術(shù)為例，在去年三季度固態(tài)硬盤價格瘋漲最厲害的時間段，東芝、三星等主要閃存廠商都在加緊研發(fā)64層3D NAND技術(shù)，可不幸的是研發(fā)的結(jié)果不容樂觀，良品率相當(dāng)?shù)拖?

不僅不能按照原計劃上市基于64層3D NAND技術(shù)的全新固態(tài)產(chǎn)品，而且原有的48層3D NAND產(chǎn)品線也為了給64層3D NAND產(chǎn)品線讓道而無法繼續(xù)再生產(chǎn)，導(dǎo)致固態(tài)硬盤產(chǎn)品在去年三季度價格暴漲，直到今年年中64層3D NAND產(chǎn)品線的成熟才勉強漲停。

然而，隨著需求的提升，來到今年三季度，64層3D NAND已然跟不上市場需求，72層3D NAND技術(shù)的成熟與否，則會決定下一年固態(tài)硬盤產(chǎn)品的走向。

外因則是，手機等產(chǎn)品線對于大容量存儲顆粒的旺盛需求，以及手機廠商極大地利潤率帶來的高議價能力，讓主流的晶圓廠商更加樂意為手機等新興產(chǎn)品線提供原材料以及存儲顆粒，相對應(yīng)的分配給傳統(tǒng)存儲廠商的原材料及存儲顆粒的大幅減少，自然而然的導(dǎo)致成品的缺貨，價格大漲。

暴漲后必然回歸正常

在內(nèi)因和外因的雙重影響下，存儲產(chǎn)品價格的瘋狂上漲也是可以理解的。那么，這種瘋狂上漲是否會一直持續(xù)下去呢?

正所謂，“月盈則虧 月虧則滿”，市場規(guī)律下任何產(chǎn)品都會經(jīng)歷高峰和低谷。此次存儲產(chǎn)品的瘋狂漲價，只是存儲行業(yè)的周期性波動，和以往任何一次存儲業(yè)界的價格波動一樣，在持續(xù)瘋漲后一定會迎來回歸。

原因也有二，一是隨著手機等新興產(chǎn)業(yè)的拐點到來，對于存儲顆粒等井噴式的需求降低，手機廠商的議價能力和利潤率的雙降，主要的閃存廠商的大規(guī)模供貨還是會回歸到傳統(tǒng)的硬件存儲市場。

其二，技術(shù)的研發(fā)總是越來越快，成熟度和良品率也會越來越高，造價也會越來越低;偶爾一次的研發(fā)不理想并不會影響整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)研發(fā)。綜上所述，在當(dāng)下存儲產(chǎn)品暴漲風(fēng)暴中，無論是作為DIY發(fā)燒友，還是普通玩家，都應(yīng)該以正常心態(tài)應(yīng)對，特別是有著攢機需求的朋友，還是應(yīng)該根據(jù)自己的真實需求進行合理攢機。