對(duì)于用戶來說，想在想買內(nèi)存簡(jiǎn)直是困難的，因?yàn)樗膬r(jià)格暴漲的已經(jīng)離譜到難以接受的地步，更夸張的是，這個(gè)瘋漲勢(shì)頭還在繼續(xù)。

對(duì)于科學(xué)家來說，他們也在思考一個(gè)問題，如何更好的利用內(nèi)存，讓它的使用效率繼續(xù)提高。

對(duì)此，MIT的研究人員提出了一套被稱為Banshee的新內(nèi)存管理方案，這樣下來可以讓4GB內(nèi)存用出6GB內(nèi)存的感覺，而DRAM緩存的數(shù)據(jù)率能瞬間提升33-59%。

芯片廠商早已把內(nèi)存使用的DRAM直接封裝到芯片上，但芯片使用上的緩存和DRAM之間存在根本性差異，所以研究人員才把目光聚集到如何提高新增加的高速儲(chǔ)存器的效率上。

當(dāng)然相應(yīng)的研究方案，MIT已經(jīng)跟芯片廠商來共同套路如何推進(jìn)了。

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