經(jīng)常逛科技網(wǎng)站的朋友都會(huì)發(fā)現(xiàn)，大家對(duì)于很多產(chǎn)品的名詞都是用英文縮寫(xiě)代替。這不，昨天看新聞就蹦出個(gè)“RAM”，便隨手上網(wǎng)查了一下，今天想用比較容易理解的方式，讓大家知道到底啥是“RAM”。

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)

隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)是一種用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)和代碼的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器。如果你電腦里不裝它，那么任何依賴(lài)短期內(nèi)存的設(shè)備的運(yùn)行速度都慢很多，準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)，RAM就想我們的身體器官一樣，少他肯定不行。

與直接訪問(wèn)內(nèi)存(如硬盤(pán)或SSD)相比，RAM是一種完全不同的內(nèi)存類(lèi)型，因?yàn)樗梢酝瑫r(shí)讀寫(xiě)；數(shù)據(jù)不斷變化。兩者之間的另一個(gè)主要區(qū)別是，當(dāng)電源被移除時(shí)，RAM就會(huì)被完全清除。例如，當(dāng)你關(guān)閉計(jì)算機(jī)時(shí)，存儲(chǔ)在內(nèi)存上的任何信息都會(huì)被刪除，因此當(dāng)你啟動(dòng)智能手機(jī)、PC、平板電腦或任何其他計(jì)算機(jī)設(shè)備時(shí)，它是完全清楚的，并且開(kāi)始處理需要做的操作。但是，如果這種情況發(fā)生在存儲(chǔ)所有***數(shù)據(jù)的直接訪問(wèn)內(nèi)存中，那將是非常令人擔(dān)憂的。目前，正在開(kāi)發(fā)的RAM模塊可以做到保留一些信息，使其更快地啟動(dòng)。例如，如果出了問(wèn)題，需要重新啟動(dòng)計(jì)算機(jī)。

雖然現(xiàn)代計(jì)算機(jī)與五年前的計(jì)算機(jī)完全不同，但許多最初的計(jì)算機(jī)仍然存在RAM，直到1970年代，磁芯存儲(chǔ)器才廣泛普及；20世紀(jì)70年代末動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)被引入，DRAM的工作原理是允許數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在每隔幾毫秒刷新一次的晶體管中，這些數(shù)據(jù)即便是現(xiàn)在仍然可以使用。

現(xiàn)在仍被廣泛使用的DRAM

RAM可以清晰了解現(xiàn)階段運(yùn)行的計(jì)算機(jī)或操作系統(tǒng)的組成部分，通過(guò)不斷地編寫(xiě)和讀取過(guò)程，以便快速完成任務(wù)。RAM不需要在龐大的硬盤(pán)中搜尋它需要的東西，這意味著你的計(jì)算機(jī)可以無(wú)縫地在任務(wù)之間切換，且沒(méi)有任何延遲?，F(xiàn)在的大多數(shù)設(shè)備使用靜態(tài)RAM(SRAM)或DRAM。SRAM的工作速度更快，使用的功率更少，因?yàn)閿?shù)據(jù)存儲(chǔ)在六個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元中，而不是依靠晶體管和電容對(duì)共同工作來(lái)確定存儲(chǔ)的內(nèi)容。這兩種類(lèi)型的RAM都用于計(jì)算機(jī)和計(jì)算設(shè)備，但由于SRAM的生產(chǎn)成本較高，DRAM是商業(yè)設(shè)備中最常用的存儲(chǔ)芯片。計(jì)算機(jī)中最常見(jiàn)的RAM類(lèi)型是DDR 4，盡管較舊的系統(tǒng)可能使用DDR 2或DDR 3。DDR 4比其老版本的DDR 4更快，而且設(shè)計(jì)上也有一些變化，而且將無(wú)法用DDR 4替換DDR 3。

正如前面所提到的，現(xiàn)在一些制造商正在開(kāi)發(fā)RAM，讓RAM的性能可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)更長(zhǎng)的時(shí)間，并且不需要使用電源來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；我國(guó)的研究人員開(kāi)發(fā)了一種新型內(nèi)存，它結(jié)合了RAM和ROM的元素，在指定時(shí)間的前提下便可以執(zhí)行任務(wù)；英特爾的光驅(qū)結(jié)合了SSD的波動(dòng)和RAM的讀/寫(xiě)速度，有可能在將來(lái)的某個(gè)時(shí)候取代對(duì)RAM和ROM的需求?？茖W(xué)家們也在努力提高RAM模塊的容量，使之得以實(shí)現(xiàn)：為了存儲(chǔ)更多信息，運(yùn)行更多任務(wù)。下一代DDR 5 RAM也在開(kāi)發(fā)中，與當(dāng)前的DDR 4相比，其讀寫(xiě)速度提高了一倍。