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到2027年,GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將超過45億美元

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GaN和SiC功率半導(dǎo)體器件有助于提高功率密度,減小無源器件的尺寸,從而推動其在光伏逆變器中的應(yīng)用。光伏逆變器應(yīng)用領(lǐng)域在2020年的市場份額保持在25%以上,由于消費(fèi)者對清潔電力的偏好激增,在預(yù)測的時間框架內(nèi),很可能以30%的復(fù)合年增長率增長。

5G技術(shù)在全球的蓬勃發(fā)展和推廣,將為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長前景。這些半導(dǎo)體以提供小尺寸和高功率密度而聞名,在電信運(yùn)營商擴(kuò)大基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展的同時,加速了它們的采用。

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根據(jù)Global Market Insights的一項(xiàng)研究,到2027年,GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計(jì)將超過45億美元。各國政府為采用5G技術(shù)而采取的持續(xù)舉措將推動該行業(yè)的發(fā)展。

由于集成了專用芯片組和集成電路,SiC功率模塊內(nèi)部的技術(shù)創(chuàng)新可以減少設(shè)備占地面積,提高能源效率,這可能會推動其在智能電網(wǎng)應(yīng)用和智能電表中的需求。此外,由于工業(yè)自動化機(jī)器人和機(jī)械的發(fā)展趨勢,工業(yè)電機(jī)驅(qū)動部門預(yù)計(jì)將見證高產(chǎn)品需求。

2020年,離散型GaN類占行業(yè)份額的2%左右,預(yù)計(jì)在預(yù)測時間內(nèi)復(fù)合年增長率將達(dá)到40%左右。分立GaN功率半導(dǎo)體具有低成本、寬禁帶等優(yōu)點(diǎn),因此在消費(fèi)類電子器件中的充電應(yīng)用需求不斷增加。

GaN和SiC功率半導(dǎo)體器件有助于提高功率密度,減小無源器件的尺寸,從而推動其在光伏逆變器中的應(yīng)用。光伏逆變器應(yīng)用領(lǐng)域在2020年的市場份額保持在25%以上,由于消費(fèi)者對清潔電力的偏好激增,在預(yù)測的時間框架內(nèi),很可能以30%的復(fù)合年增長率增長。

 

責(zé)任編輯:姜華 來源: 比特網(wǎng)
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