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造芯計(jì)劃砸3300億元直指中國(guó)!美眾議院通過近3000頁(yè)「芯片法案」

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近3000頁(yè)的「2022美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)法案」獲美眾議院通過!該法案將劃撥520億美元巨額投資和補(bǔ)貼,支持半導(dǎo)體制造行業(yè),擴(kuò)大本國(guó)芯片工廠的建設(shè)。法案背后,直指中國(guó)。

當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月4日,美國(guó)眾議院以222票贊成、210反對(duì)的投票結(jié)果通過了《2022美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)法案》。

該法案全文長(zhǎng)達(dá)近3000頁(yè),主要內(nèi)容包括旨在促進(jìn)美國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)的大規(guī)模投資。

其中包括約520億美元(約合人民幣3308億元)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的撥款和補(bǔ)貼,以及450億美元(約合人民幣2672億元)用于加強(qiáng)高科技產(chǎn)品的供應(yīng)鏈。試圖從而在全球范圍內(nèi)「更好地」與中國(guó)競(jìng)爭(zhēng)。

行業(yè)報(bào)告估計(jì),這些投資將使美國(guó)能夠在未來10年內(nèi)建設(shè)19個(gè)工廠,并讓芯片制造能力翻倍。

此外,該法案還包括為一個(gè)幫助發(fā)展中國(guó)家適應(yīng)氣候變化的基金提供80億美元;劃撥30億美元用于降低對(duì)中國(guó)太陽(yáng)能制造行業(yè)的依賴;為幫助失業(yè)率明顯高于全國(guó)平均水平的社區(qū)提供40億美元;以及為各州儲(chǔ)備藥品和醫(yī)療設(shè)備提供105億美元。

由于新冠疫情使芯片供應(yīng)鏈的緊張局勢(shì)一直得不到緩解。美國(guó)商務(wù)部上周發(fā)布了一份報(bào)告稱,一些半導(dǎo)體產(chǎn)品的庫(kù)存中值已經(jīng)從2019年的40天下降到2021年的不到5天。而這個(gè)問題在未來六個(gè)月內(nèi)都不會(huì)解決。

美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)吉娜·雷蒙多在討論該法案時(shí)表示,該法案中「最緊迫的需求」是520億美元用于國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn),因?yàn)槿蛐酒倘睂?duì)包括汽車行業(yè)在內(nèi)的經(jīng)濟(jì)的影響,以及在海外制造如此多半導(dǎo)體對(duì)國(guó)家安全的影響,已經(jīng)到了必須要應(yīng)對(duì)的地步。

「我們不能再等了,我們落后太多了。就國(guó)家安全而言,我們處于如此危險(xiǎn)的境地,在最先進(jìn)的芯片上嚴(yán)重依賴海外。」

雷蒙多的表態(tài)可能并不是危言聳聽。

自上世紀(jì)90年代以來,美國(guó)在全球半導(dǎo)體制造業(yè)中的份額從1990年的37%穩(wěn)步下降到現(xiàn)在的12%左右。此次通過的法案正試圖扭轉(zhuǎn)這一趨勢(shì),業(yè)內(nèi)官員稱,這個(gè)法案的通過的最大推動(dòng)力實(shí)際上可能是外國(guó)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

不過,美國(guó)在芯片設(shè)計(jì)(52%)和芯片制造設(shè)備(50%)方面仍然領(lǐng)先。中國(guó)大陸在這兩方面都落后于美國(guó)多年。

法案中的另一項(xiàng)規(guī)定將對(duì)低價(jià)產(chǎn)品征收關(guān)稅。目前,美國(guó)對(duì)價(jià)值低于800美元的進(jìn)口商品不收關(guān)稅。而該法案則取消了某些國(guó)家和地區(qū)的門檻,尤其是中國(guó)大陸。

當(dāng)然,這不是美國(guó)在芯片方面的第一次布局。

2021年6月8日,美國(guó)國(guó)會(huì)參議院以68票贊成、32票反對(duì)的結(jié)果,通過了長(zhǎng)達(dá)1400多頁(yè)《2021美國(guó)創(chuàng)新與競(jìng)爭(zhēng)法案》。其中就有用于半導(dǎo)體、芯片和電信領(lǐng)域的540億美金。

該法案在提出獲批后,一年時(shí)間里因?yàn)榉N種原因停滯不前。

而本次獲得通過的《2022美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)法案》將是去年創(chuàng)新與競(jìng)爭(zhēng)法案的延續(xù)。

2500億美元,《2021美國(guó)創(chuàng)新與競(jìng)爭(zhēng)法案》高票通過

2021年6月8日,美國(guó)參議院以68票贊成、32票反對(duì),壓倒性通過了長(zhǎng)達(dá)1400多頁(yè)《2021美國(guó)創(chuàng)新與競(jìng)爭(zhēng)法案》。

這項(xiàng)法案計(jì)劃撥款約2500億美元,以應(yīng)對(duì)中國(guó)所謂的「科技威脅」。其中大部分支出發(fā)生在頭五年。

該法案的核心是向商務(wù)部緊急撥款500億美元,用于通過國(guó)會(huì)先前授權(quán)的研究和激勵(lì)計(jì)劃支持半導(dǎo)體開發(fā)和制造。

其中,1900億美元,從總體上加強(qiáng)美國(guó)的技術(shù);540億美元,用于半導(dǎo)體、芯片和電信領(lǐng)域。

法案前3部分主要詳細(xì)介紹了美國(guó)如何在科技領(lǐng)域的布局:

P1:芯片和ORAN 5G緊急撥款

近幾十年,美國(guó)半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域的本土制造在全球占比大幅下滑。

美國(guó)公司占世界芯片銷售額的48%,但位于美國(guó)的工廠只占世界半導(dǎo)體制造業(yè)的12%,低于1990年的37%。而包括中國(guó)大陸在內(nèi)的外國(guó)競(jìng)爭(zhēng)者在此領(lǐng)域大量投入并占據(jù)主導(dǎo)地位。

為了保持美國(guó)在這一領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力,投資520億美元,用于和有關(guān)芯片生產(chǎn)、軍事以及其他關(guān)鍵行業(yè)的相關(guān)項(xiàng)目。

另外,15億美元投資電信領(lǐng)域,以加強(qiáng)美國(guó)在5G競(jìng)爭(zhēng)中的創(chuàng)新。

法案還專門提到了華為給美國(guó)國(guó)家安全和全球電信網(wǎng)絡(luò)帶來的「無法接受的風(fēng)險(xiǎn)」。

P2 :《無盡前沿法案》

未來5年投入大約1200億美元,用于包括人工智能、半導(dǎo)體、量子計(jì)算、先進(jìn)通信、生物技術(shù)和先進(jìn)能源在內(nèi)的關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)和先進(jìn)研究、商業(yè)化、教育和培訓(xùn)項(xiàng)目。

該法案主要涉及了4個(gè)立法目標(biāo):

  1. 在國(guó)家科學(xué)基金會(huì)(National Science Foundation,NSF)設(shè)立一個(gè)新的技術(shù)和創(chuàng)新理事會(huì)(DTI,Directorate for Technology and Innovation)
  2. 創(chuàng)設(shè)區(qū)域技術(shù)中心
  3. 針對(duì)經(jīng)濟(jì)安全、科學(xué)、研究、創(chuàng)新、制造和就業(yè)建立一個(gè)戰(zhàn)略報(bào)告體系
  4. 設(shè)立供應(yīng)鏈韌性和危機(jī)應(yīng)對(duì)計(jì)劃的項(xiàng)目

P3 :《2021年戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)法案》

這部分法案致力于讓美國(guó)減少對(duì)中國(guó)供應(yīng)鏈的依賴,加強(qiáng)美國(guó)「半導(dǎo)體」實(shí)力,以及在科研領(lǐng)域增加研究經(jīng)費(fèi)等。

為應(yīng)對(duì)中國(guó)的科技競(jìng)爭(zhēng),該法案還提出與盟友「共享技術(shù)」戰(zhàn)略,包括技術(shù)控制和標(biāo)準(zhǔn),以及關(guān)于開發(fā)和獲取關(guān)鍵技術(shù)的戰(zhàn)略。

在相關(guān)政策的支持下,英特爾、三星、臺(tái)積電等芯片企業(yè)已經(jīng)陸續(xù)公布了在美國(guó)建設(shè)芯片工廠的計(jì)劃。

英特爾豪擲1000億美元,建世界最大芯片工廠

2022年1月,英特爾表示將投資200億美元建設(shè)2家芯片制造工廠,并計(jì)劃最終投資1000億美元,共建設(shè)8家制造工廠。其中第一座晶圓廠將于2025年上線。

據(jù)介紹,200億美元的先期投資是俄亥俄州歷史上最大規(guī)模的投資,將在新奧爾巴尼占地1000英畝(約合400公頃)的土地上創(chuàng)造3000個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。

英特爾CEO蓋爾辛格表示,「此舉不僅是為了提高芯片產(chǎn)能,也是為了重振英特爾在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?!?/span>

英特爾發(fā)言人威廉·莫斯表示,「我們的目標(biāo)是在未來10年投資1000億美元,但如果沒有聯(lián)邦政府的支持,這一目標(biāo)將很難在那段時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)。不過,最初的200億美元投資并不依賴聯(lián)邦補(bǔ)貼。」

英特爾還將大量資本用于勞動(dòng)力培訓(xùn),它計(jì)劃10年內(nèi)花費(fèi)1億美元用于半導(dǎo)體教育,包括培養(yǎng)高技能人才。

屆時(shí),隨著大批高技能人才輸出,英特爾表示,員工的平均年薪將達(dá)13.5萬(wàn)美元(約85.6萬(wàn)元)。

臺(tái)積電斥120億美元, 將5nm引入美國(guó)

臺(tái)積電早在2020年就宣布將投入120億美元在亞利桑那州鳳凰城建造一座5納米晶圓廠。

該工廠于2021年正式開工,預(yù)計(jì)在2024年投產(chǎn)。建成后的計(jì)劃產(chǎn)能將達(dá)到每月2萬(wàn)片,并會(huì)聘用超過1600名員工

從政治角度講,臺(tái)積電的建廠計(jì)劃對(duì)美國(guó)來說可能是一個(gè)勝利。

時(shí)任美國(guó)商務(wù)部長(zhǎng)羅斯(Wilbur Ross)在一份聲明中稱贊了臺(tái)積電的計(jì)劃:「這是臺(tái)積電、亞利桑那州政府和美國(guó)政府之間多年談判的結(jié)果?!?/span>

此外,據(jù)知情人士透露,美國(guó)國(guó)務(wù)院和商務(wù)部都參與了相關(guān)計(jì)劃。

臺(tái)積電表示,已將2022年的資本支出預(yù)算定在400億至440億美元之間,創(chuàng)下歷史高位,2021年的資本支出約為300億美元。

三星170億美元,建3nm芯片廠

三星電子于2021年11月宣布在美國(guó)建設(shè)半導(dǎo)體代工廠。

據(jù)悉,三星將在得克薩斯州泰勒市投入170億美元,建造半導(dǎo)體工廠。2022年開工建設(shè),力爭(zhēng)2024年下半年投入運(yùn)行。有分析認(rèn)為,該工廠將生產(chǎn)電路線寬為3納米的新一代產(chǎn)品。

這項(xiàng)在得克薩斯州的投資也顯示出擴(kuò)大芯片生產(chǎn)規(guī)模之艱難。工廠造價(jià)高,使用的先進(jìn)工具每件成本可能超過1.5億美元,而且需要多年才能建成。

美國(guó)政府的態(tài)度對(duì)此次三星建設(shè)工廠明顯發(fā)揮了作用。美國(guó)商務(wù)部部長(zhǎng)吉娜·雷蒙多在聲明中表示歡迎稱,「增加半導(dǎo)體的國(guó)內(nèi)生產(chǎn),對(duì)于美國(guó)的經(jīng)濟(jì)安全保障來說非常重要。」

據(jù)報(bào)道,三星計(jì)劃在未來數(shù)年內(nèi)投資超過2050億美元,旨在提振芯片和生物技術(shù)產(chǎn)業(yè),其中芯片制造是優(yōu)先事項(xiàng)。

美國(guó)芯片制造業(yè)外流,但不是中國(guó)大陸

據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)2020年的統(tǒng)計(jì),在所有美國(guó)擁有和經(jīng)營(yíng)的晶圓廠中,位于中國(guó)大陸的只占不到2%,在美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的全球總產(chǎn)能中僅占5.6%。

雖然有美國(guó)公司因?yàn)楦形Φ募?lì)措施,選擇了在外擴(kuò)張。但美國(guó)半導(dǎo)體制造商44%的晶圓廠產(chǎn)能仍位于本土,其中共有分布在18個(gè)州的70座晶圓廠。

而中國(guó)大陸的代工廠,如中芯國(guó)際,在2019年僅占美國(guó)公司全球代工總收入的5.8%。

即便如此,美國(guó)為了維持自身的在該領(lǐng)域的壟斷地位,不斷地給創(chuàng)新競(jìng)爭(zhēng)法案加碼,并批準(zhǔn)了大量投資。

責(zé)任編輯:張燕妮 來源: 新智元
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