選內(nèi)存有啥訣竅？別看廣告，看療效啊，哦不對，是別看主頻，看時序??！羨慕DDR5的5000MHz超高主頻？那是你不了解內(nèi)存。因為內(nèi)存的性能并不是由主頻這一項參數(shù)決定的，內(nèi)存的時序甚至比主頻還重要。

前不久有同事在某平臺買內(nèi)存的時候發(fā)現(xiàn)超低價DDR4內(nèi)存，8G只要134元，而京東商城同樣的高頻內(nèi)存基本上都要150元起步，雖然看起來參數(shù)差不多，但是貓膩就在于時序不一樣，某平臺上這款內(nèi)存的時?序為19-19-19-43，在DDR4內(nèi)存中屬于偏高。

看到這里你可能一頭霧水，但其實意思很簡單，就是描述同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）性能的四個參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS。換句話說，時序就是內(nèi)存在處理不同任務(wù)時固有延遲的時長。

內(nèi)存時序的單位為時鐘周期，格式為4個由破折號連接的數(shù)字，我們不需要記住每個數(shù)字代表的意思，只要知道時序越低越好就可以。

內(nèi)存時序4個數(shù)字對應(yīng)的參數(shù)按照順序分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，這四個代號全是縮寫，第一個CL即CAS Latency，它描述的是內(nèi)存列地址訪問的延遲時間，這也是時序中最重要的參數(shù)；

第二個tRCD，即RAS to CAS Delay，是指內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間；第三個tRP，即RAS Precharge Time，表示內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時間；第四個tRAS，即RAS Active Time，描述的是行地址激活的時間。

雖然不用知道這四個值的具體意義，但也容易發(fā)現(xiàn)，內(nèi)存的時序越低，意味著內(nèi)存的響應(yīng)速度越快，也就可以有更強(qiáng)的性能。

不過還有一個瓶頸在于，高頻率和低時序往往是一對矛盾體，高頻率往往也伴隨著更高的時序，而想要足夠低的時序，頻率又很難拉高。

一個很明顯的例子是，DDR5的內(nèi)存頻率可以輕松達(dá)到5000MHz以上，但是其時序多在40-40-40-77這樣的級別，而DDR4的內(nèi)存頻率雖然在3000MHz左右，但是時序往往能控制在16-16-16-36這樣的數(shù)值。

此外，高頻內(nèi)存需要主板和CPU同時支持，還需要在BIOS里進(jìn)行設(shè)置才能開啟，否則會按照最低的頻率運(yùn)行，對于大多數(shù)玩家來說也沒有那么強(qiáng)的動手能力，所以在選內(nèi)存時，如果有預(yù)算升級更好的內(nèi)存，還是優(yōu)先選時序低的更好。