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SanDisk閃迪發(fā)布全球首款48層3D NAND芯片

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BiCS是一個非易失性存儲器架構(gòu),旨在為基于閃存的設(shè)備提供更高的存儲密度、可擴展性和性能。與常規(guī)的2D NAND相比,BiCS NAND存儲器還將具備更好的寫/擦耐久力、更快的寫入速度和更高的能效。

全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案提供商SanDisk閃迪公司(納斯達(dá)克交易代碼:SNDK)今日發(fā)布了256 Gigabit(GB) 3位元型(X3) 48層3D NAND芯片,并攜手其合作伙伴東芝公司在日本四日市啟動3D NAND試產(chǎn)線。

SanDisk閃迪公司執(zhí)行副總裁、主管存儲技術(shù)的Siva Sivaram博士表示:“我們很高興地宣布我們首款量產(chǎn)3D NAND芯片的發(fā)布。它是全球首款256 GB三位元型(X3)芯片,采用我們業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的48層BiCS技術(shù)1開發(fā),展現(xiàn)了SanDisk閃迪在X3技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。我們將基于該芯片,為我們的客戶交付卓越的存儲解決方案。”

BiCS是一個非易失性存儲器架構(gòu),旨在為基于閃存的設(shè)備提供更高的存儲密度、可擴展性和性能。與常規(guī)的2D NAND相比,BiCS NAND存儲器還將具備更好的寫/擦耐久力、更快的寫入速度和更高的能效。

SanDisk閃迪的256 GB X3 BiCS芯片可廣泛應(yīng)用于各類消費者、客戶端、移動和企業(yè)級產(chǎn)品,預(yù)計將于2016年開始應(yīng)用于SanDisk閃迪的產(chǎn)品中。

責(zé)任編輯:路途 來源: SanDisk閃迪
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