目前世界上存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)主要由美、日、韓主導(dǎo)，是高度壟斷的寡頭市場(chǎng)格局，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。

 　　根據(jù)消息報(bào)道，武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望按計(jì)劃在今年年底投產(chǎn)32層3D NAND，力爭(zhēng)未來幾年實(shí)現(xiàn)30萬(wàn)片每月的晶圓產(chǎn)能目標(biāo)。

　　資料顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年，總投資達(dá)40億美元。依照長(zhǎng)江存儲(chǔ)的目標(biāo)，2023年要實(shí)現(xiàn)每月30萬(wàn)片晶圓的產(chǎn)能，年產(chǎn)值1000億元，快速提升國(guó)產(chǎn)自給率。

　　此外，也有業(yè)界人士透露長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking™架構(gòu)的64層NAND樣品已經(jīng)送至合作伙伴進(jìn)行測(cè)試，讀寫質(zhì)量大致穩(wěn)定，預(yù)計(jì)最快將在2019年第3季投產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)更計(jì)劃在2020年跳過96層3D NAND，直接進(jìn)入128層堆疊。