Galaxy Note7殘局收場未果,三星再次驚現(xiàn) “大手筆”
譯文【51CTO.com快譯】據(jù)外媒報道,三星電子計劃在明年年初的時候?qū)τ诿绹每怂_斯州的奧斯汀工廠投入10億美元,以期進一步的推動工廠的移動芯片生產(chǎn)線的進一步提升。三星仍在收拾Galaxy Note7的殘局,但仍然決定對得克薩斯州奧斯汀工廠投資10億美元。三星公司對外表示,這項投資將用于擴大電子半導(dǎo)體制造。這家工廠也將為三星接下來的旗艦機提供更多組件以及芯片。該項投資將于明年年初投產(chǎn),將用于擴大電子半導(dǎo)體制造。三星將Exynos芯片用于其智能手機,但也用于存儲、內(nèi)存和電池的半導(dǎo)體。Galaxy S7手機中的大部分組件都是在三星工廠生產(chǎn)的。
由于電池問題導(dǎo)致一些手機過熱和爆炸后,三星Note7停產(chǎn)。但這顯然無法阻止三星擴大其移動芯片生產(chǎn)。盡管三星生產(chǎn)速度近來出現(xiàn)了放緩的狀況,但這顯然無法阻止其擴大其移動芯片生產(chǎn)。芯片制造商還將更多的資源用于制造物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的芯片。三星提供Artik物聯(lián)網(wǎng)芯片,其中包括該公司制造的處理器、存儲器和無線組件。許多其他的競爭對手都在美國建有制造工廠,比如英特爾和GlobalFoundries公司。英特爾最近簽署了一項協(xié)議,來制造基于ARM的移動芯片,并將為其在美國工廠制造的LG手機提供智能手機芯片。
十月下旬的時候,三星在官方網(wǎng)站上正式公布,該公司即將推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM內(nèi)存芯片。這次的8GB LPDDR4內(nèi)存芯片采用10納米級工藝制造,內(nèi)存的速度為4266Mbps,與PC機所用的DDR4 DRAM典型值要快上兩倍。
就在同一周,三星電子宣布10納米制程工藝芯片將正式投入量產(chǎn)。這也讓三星成為首家生產(chǎn)10納米制程工藝芯片的廠家。在公告中三星還提到,明年年初他們會正式發(fā)布一款10納米制程工藝芯片,不過這款芯片的具體信息還未被提及。
【51CTO譯稿,合作站點轉(zhuǎn)載請注明原文譯者和出處為51CTO.com】