• 1.1 金融業(yè)存儲在發(fā)展中遇到的挑戰(zhàn) 2
• 1.2 閃存的前世今生 8
• 1.3 閃存給金融業(yè)存儲帶來的創(chuàng)新 13
• 1.4 閃存給金融業(yè)存儲帶來的實(shí)際價(jià)值 16
• 1.5 閃存技術(shù)的金融業(yè)級存儲展望 21

反思-閃存帶給金融業(yè)存儲的價(jià)值

1.1金融業(yè)存儲在發(fā)展中遇到的挑戰(zhàn)

業(yè)界最近一直在提出一個(gè)說法：在過去十年中，CPU性能提升了10倍，內(nèi)存速度提升8倍，網(wǎng)絡(luò)速度提升100倍，總線速度增長20倍，磁盤速度卻僅僅增長了1.2倍，是唯一違反摩爾定律的部分，是IT系統(tǒng)基礎(chǔ)部分發(fā)展的瓶頸，在大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)計(jì)算等等IT科技風(fēng)起云涌的今天，磁盤技術(shù)已經(jīng)嚴(yán)重拖了大家的后腿。

1. 真的如此嗎?存儲技術(shù)的科研人員和廠商真的如此不上進(jìn)嗎?
2. 在這里，請讓筆者先引用一段SNIA(存儲網(wǎng)絡(luò)工業(yè)協(xié)會(huì))China教育委員會(huì)主席王紀(jì)奎先生主編的《成就存儲專家之路--存儲從入門到精通》一書中對SPC測試的介紹：

[[208761]]

SPC的SPC-1和SPC-2

存儲性能理事會(huì)(storage performance council，SPC)是一家非營利組織，主要使命是定義存儲系統(tǒng)基準(zhǔn)測試、實(shí)現(xiàn)其標(biāo)準(zhǔn)化并進(jìn)行推廣，為計(jì)算機(jī)行業(yè)及其客戶提供客觀、可驗(yàn)證的性能數(shù)據(jù)。SPC成員對所有公司、學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和個(gè)人開放。根據(jù)存儲行業(yè)的需要和行業(yè)所關(guān)心的問題，SPC在2001年創(chuàng)建了第一個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)性能基準(zhǔn)測試，目標(biāo)是推動(dòng)存儲性能的提高。目前IBM，HP，Sun，HDS，Dell等存儲業(yè)內(nèi)的巨頭都是SPC的重要會(huì)員，并且都視自身產(chǎn)品獲得更高的SPC標(biāo)準(zhǔn)評分為榮譽(yù)。由于某種原因，存儲業(yè)內(nèi)的另一個(gè)巨頭EMC一直未能參加SPC，這不免讓我們有些遺憾。

SPC最為著名的標(biāo)準(zhǔn)是SPC-1和SPC-2。幾乎每個(gè)月都會(huì)有廠商將自己產(chǎn)品的SPC-1和SPC-2的測試結(jié)果公布，可以說這兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是目前存儲業(yè)內(nèi)公認(rèn)的最為活躍的測試標(biāo)準(zhǔn)。

SPC-1基準(zhǔn)測試體現(xiàn)了存儲供應(yīng)商衡量存儲系統(tǒng)處理復(fù)雜請求和大量數(shù)據(jù)的基本性能，其主要衡量存儲系統(tǒng)在隨機(jī)I/O負(fù)荷下的吞吐量(IOPS)。而SPC-2則主要衡量在各種高負(fù)荷連續(xù)讀寫應(yīng)用場合下存儲系統(tǒng)的帶寬(MB/s)。

SPC-1設(shè)計(jì)一個(gè)專門為測試存儲系統(tǒng)在典型業(yè)務(wù)應(yīng)用場合下的負(fù)載模型，這個(gè)負(fù)載模型連續(xù)不斷地對業(yè)務(wù)系統(tǒng)并發(fā)的做查詢和更新的工作，因此其主要由隨機(jī)I/O組成。這些隨機(jī)I/O的操作涉及數(shù)據(jù)庫型的OLTP應(yīng)用以及E-mail系統(tǒng)應(yīng)用，能夠很好地衡量存儲系統(tǒng)的吞吐量(IOPS)指標(biāo)。

SPC-2與SPC-1測量的模式完全不同，它由3個(gè)不同負(fù)荷模型構(gòu)成，主要衡量存儲系統(tǒng)在連續(xù)大規(guī)模移動(dòng)數(shù)據(jù)時(shí)的性能。這3種負(fù)荷模型包括：

(1) 大文件處理模型。該模型模擬同時(shí)讀寫多個(gè)大容量模型的應(yīng)用場景，這些場景一般常用在科學(xué)計(jì)算和大規(guī)模金融計(jì)算領(lǐng)域中。

(2) 大數(shù)據(jù)量的數(shù)據(jù)庫查詢模型。該模型模擬數(shù)據(jù)之間的大量連接(join)和全表掃描應(yīng)用場景，這些場景一般常用在數(shù)據(jù)挖掘和常務(wù)智能領(lǐng)域。

(3) VOD模型。該模型主要模擬非線性編輯應(yīng)用場景，會(huì)同時(shí)讀取多個(gè)大的影音文件并寫入存儲系統(tǒng)中。

可以看出SPC-2涵蓋了目前大量連續(xù)I/O的所有典型測試場景，因此能夠很好地測量出存儲系統(tǒng)的帶寬。

SPC-1和SPC-2在SPC組織的官方網(wǎng)站http://www.storageperformance.org/上，可以找到有關(guān)SPC-1和SPC-2的最新數(shù)據(jù)。“

1. 這里我們之所以介紹SPC，是由于在衡量SAN、DAS這些塊存儲設(shè)備時(shí)，除了高性能計(jì)算、視頻采集/編輯等少部分應(yīng)用比較在意帶寬(MB/s)之外，業(yè)界絕大多數(shù)的金融業(yè)數(shù)據(jù)中心環(huán)境里更看中的還是隨機(jī)訪問IOPS性能。比如大家熟知的Oracle、DB2、SQL Server這些傳統(tǒng)關(guān)系型數(shù)據(jù)庫，也包括Exchange Server、Lotus郵件服務(wù)器等等。至少在目前，這也許是包括所有主流存儲廠商(其實(shí)也可以包括EMC，如EMC最近并購的閃存廠商XIO之前也參與SPC的測試)公認(rèn)的測試標(biāo)準(zhǔn)。而正是由于這個(gè)10年前已經(jīng)存在的測試標(biāo)準(zhǔn)，我們才能比較客觀對比存儲的10年來的發(fā)展歷程。

筆者調(diào)閱了2002年底IBM的SPC-1的測試報(bào)告，遙想當(dāng)年，那還是高端為ESS800和中低端為FastT(DS4000)，18.4G的磁盤為主流的年代：

先看看256塊磁盤的ESS800的表現(xiàn)：

再看看2012年底的1536塊磁盤DS8870：

1. 這里我們來做個(gè)簡單的10年來存儲性能的相關(guān)對比：

時(shí)間 型號 磁盤數(shù) IOPS 95%響應(yīng)時(shí)間 5ms內(nèi)的IOPS 數(shù)據(jù)保護(hù) 容量

GB

2003 ESS800 256 22,999 >10ms 11,500 RAID5 3207

2013 DS8870 1536 45,1082 <5ms 42,8462 Mirror 56232

600% 1961% 200% 3726% 1751%

1. 通過對比，我們可以做這樣的解讀：10年來，存儲對磁盤數(shù)量的管理能力提升了6倍以上，對性能提升了20倍，如果算上5ms之內(nèi)響應(yīng)時(shí)間，其實(shí)提升了37倍。
2. 也就是說，這10年，存儲技術(shù)的進(jìn)步似乎也不是那么糟糕。
3. 那么，為什么大家還老拿存儲說事呢?

因?yàn)闀r(shí)局已不同了，現(xiàn)在是一個(gè)全民IT的時(shí)代，數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代，存儲的發(fā)展雖然不算慢，但的確原有的技術(shù)發(fā)展速度滿足不了數(shù)據(jù)的增長和人們新應(yīng)用的需求。舉個(gè)簡單例子，10年前筆者本人的數(shù)據(jù)按<5GB算(Word文檔為主)足夠，現(xiàn)在卻要按>1TB計(jì)算(高清電影、視頻為主)，這就增長了200倍了，可筆者打開文檔等待的時(shí)間卻反而比以前更著急;這還不算我們那些10年前不知道電腦為何物，現(xiàn)在卻在Pad上天天斗地主、看劇集的潮爸潮媽們。而這些數(shù)據(jù)的終極存放地，必然是那些云計(jì)算數(shù)據(jù)中心的金融業(yè)級存儲。更不用提金融業(yè)本身數(shù)據(jù)的飛速增長引發(fā)的大數(shù)據(jù)時(shí)代的來臨，因?qū)嵤┰朴?jì)算、虛擬化帶來的存儲I/O需求成數(shù)十倍的集中。

也就是說，正是由于這個(gè)時(shí)代對于存儲的性能需求比其他部分更強(qiáng)烈，存儲技術(shù)的發(fā)展也就遇到了前所未有的挑戰(zhàn);一方面谷歌、亞馬遜等互聯(lián)網(wǎng)公司尋找分布式存儲云來應(yīng)對，一方面主流存儲廠商也開始尋找各種能像當(dāng)年磁盤淘汰磁帶一樣的突破性技術(shù)。

大概3-5年前，他們似乎找到了---這就是閃存技術(shù)。

1.2閃存的前世今生

借用維基百科，讓我們來初步了解一下閃存：

“快閃存儲器(英語：Flash Memory)，簡稱閃存，是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙拇鎯ζ鳌＿@種科技主要用于一般性數(shù)據(jù)存儲，以及在電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)，如儲存卡與閃存盤。閃存是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的閃存進(jìn)行一次抹除掉就會(huì)清除掉整顆芯片上的數(shù)據(jù)。

閃存的成本遠(yuǎn)較可以字節(jié)為單位寫入的EEPROM來的低，也因此成為非易失性固態(tài)存儲最重要也最廣為采納的技術(shù)。像是PDA, 筆記本電腦, 數(shù)字隨身聽, 數(shù)碼相機(jī)與手機(jī)上均可見到閃存。此外，閃存在游戲主機(jī)上的采用也日漸增加，藉以取代存儲游戲數(shù)據(jù)用的EEPROM或帶有電池的SRAM。

閃存是非易失性的存儲器。這表示單就保存數(shù)據(jù)而言, 它是不需要消耗電力的。此外閃存也具有相當(dāng)?shù)偷淖x取延遲(雖然沒有電腦主存的DRAM那么快)。與硬盤相比，閃存也有更佳的動(dòng)態(tài)抗震性。這些特性正是閃存被移動(dòng)設(shè)備廣泛采用的原因。閃存還有一項(xiàng)特性：當(dāng)它被制成儲存卡時(shí)非?？煽咯ぉぜ词菇谒幸沧阋缘挚垢邏号c極端的溫度。

雖然閃存在技術(shù)上屬于EEPROM，但是 “EEPROM” 這個(gè)字眼通常特指非快閃式、以小區(qū)塊為清除單位的EEPROM。它們典型的清除單位是字節(jié)。 因?yàn)槔鲜降腅EPROM抹除循環(huán)相當(dāng)緩慢，相形之下快閃記體較大的抹除區(qū)塊在寫入大量數(shù)據(jù)時(shí)帶給其顯著的速度優(yōu)勢。

1. 閃存(無論是NOR型或NAND型)是舛岡富士雄博士在1984年于東芝公司工作時(shí)發(fā)明。據(jù)東芝表示閃存之所以命名為 “Flash” 是由舛岡博士的同事所持有泉建議，因?yàn)檫@種存儲器的抹除流程讓他想起了相機(jī)的閃光燈。舛岡博士在1984年的加州舊金山IEEE國際電子組件會(huì)議(International Electron Devices Meeting, IEDM)上發(fā)表了這項(xiàng)發(fā)明。Intel看到了這項(xiàng)發(fā)明的巨大潛力，并于1988年推出第一款商業(yè)性的NOR Flash芯片。
2. NOR Flash需要很長的時(shí)間進(jìn)行抹寫，但是它提供完整的尋址與數(shù)據(jù)總線，并允許隨機(jī)存取存儲器上的任何區(qū)域，這使的它非常適合取代老式的ROM芯片。當(dāng)時(shí)ROM芯片主要用來存儲幾乎不需更新的代碼，例如電腦的BIOS或機(jī)上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環(huán)，它同時(shí)也是早期的可移除式快閃存儲媒體的基礎(chǔ)。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎(chǔ)的，雖然它之后跳槽到成本較低的 NAND Flash。
3. 東芝在1989年的國際固態(tài)電路研討會(huì)(ISSCC)上發(fā)表了NAND Flash。NAND Flash具有較快的抹寫時(shí)間, 而且每個(gè)存儲單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較于NOR Flash具有較高的存儲密度與較低的每比特成本。同時(shí)它的可抹除次數(shù)也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O接口并沒有隨機(jī)存取外部地址總線，它必須以區(qū)塊性的方式進(jìn)行讀取，NAND Flash典型的區(qū)塊大小是數(shù)百至數(shù)千比特。
4. 因?yàn)槎鄶?shù)微處理器與單片機(jī)要求字節(jié)等級的隨機(jī)存取，所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程序的ROM。從這樣的角度看來，NAND Flash比較像光盤、硬盤這類的次級存儲設(shè)備。NAND Flash非常適合用于儲存卡之類的大量存儲設(shè)備。第一款創(chuàng)建在NAND Flash基礎(chǔ)上的可移除式存儲媒體是SmartMedia，此后許多存儲媒體也跟著采用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。”

“SLC

傳統(tǒng)上，每個(gè)存儲單元內(nèi)存儲1個(gè)信息比特，稱為單階存儲單元(Single-Level Cell,SLC)，使用這種存儲單元的閃存也稱為單階存儲單元閃存(SLC flash memory)，或簡稱SLC閃存。SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是傳輸速度更快，功率消耗更低和存儲單元的壽命更長。然而，由于每個(gè)存儲單元包含的信息較少，其每百萬字節(jié)需花費(fèi)較高的成本來生產(chǎn)。由于快速的傳輸速度，SLC閃存技術(shù)會(huì)用在高性能的儲存卡。

MLC

多階存儲單元(Multi-Level Cell,MLC)可以在每個(gè)存儲單元內(nèi)存儲2個(gè)以上的信息比特，其“多階”指的是電荷充電有多個(gè)能階(即多個(gè)電壓值)，如此便能存儲多個(gè)比特的值于每個(gè)存儲單元中。借由每個(gè)存儲單元可存儲更多的比特，MLC閃存可降低生產(chǎn)成本，但比起SLC閃存，其傳輸速度較慢，功率消耗較高和存儲單元的壽命較低，因此MLC閃存技術(shù)會(huì)用在標(biāo)準(zhǔn)型的儲存卡。另外，如飛索半導(dǎo)體的MirrorBit®技術(shù)，也是屬于這一類技術(shù)。

“一個(gè)閃存的應(yīng)用就是作為硬盤的替代品。因?yàn)殚W存沒有硬盤驅(qū)動(dòng)器械因素的限制與遲滯，所以固態(tài)硬盤(SSD)在速度、噪音、耗電量與可靠度等因素的考量上是非常吸引人的。閃存組件正取得可攜式行動(dòng)設(shè)備上第二存儲組件的地位。同時(shí)使用在高性能臺式機(jī)及一些具有RAID和SAN架構(gòu)的服務(wù)器上作為硬盤的替代品。”

“記憶耗損

另一項(xiàng)閃存的限制是它有抹寫循環(huán)的次數(shù)限制(大多商業(yè)性SLC閃存保證“0”區(qū)有十萬次的抹寫能力，但其他區(qū)塊不保證)。這個(gè)結(jié)果部分地被某些固件或文件系統(tǒng)為了在相異區(qū)塊間分散寫入操作而進(jìn)行的計(jì)算寫入次數(shù)與動(dòng)態(tài)重對映所抵銷;這種技巧稱為耗損平衡(wear leveling)。另一種處理方法稱為壞區(qū)管理(Bad Block Management, BBM)。這種方法是在寫入時(shí)做驗(yàn)證并進(jìn)行動(dòng)態(tài)重測，如果有驗(yàn)證失敗的區(qū)塊就加以剔除。 對多數(shù)移動(dòng)設(shè)備而言，這些磨損管理技術(shù)可以延長其內(nèi)部閃存的壽命(甚至超出這些設(shè)備的使用年限)。此外，丟失部分?jǐn)?shù)據(jù)在這些設(shè)備上或許是可接受的。至于會(huì)進(jìn)行大量數(shù)據(jù)讀寫循環(huán)的高可靠性數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用則不建議使用閃存。“

此外，我們還可以不難驗(yàn)證以下資料：

” 對于SSD盤的主要閃存模塊，相對普通MLC來說，eMLC(enterprise MLC 金融業(yè)級MLC)的不同之處主要體現(xiàn)在下面4個(gè)方面：

1.標(biāo)稱P/E數(shù)，34nm鎂光的eMLC是30,000次，而MLC則是5000次。

2.eMLC擦寫操作和編程操作所需要的時(shí)間相比MLC更長。(通過內(nèi)參調(diào)整達(dá)到增加P/E的目的)

3.當(dāng)使用完廠商保證的P/E數(shù)后，eMLC的數(shù)據(jù)保存期一般在3個(gè)月，而MLC的數(shù)據(jù)保存期在1年。

4.相對在的金融業(yè)級應(yīng)用下，使用eMLC的穩(wěn)定性比MLC要高得多，也就是出錯(cuò)的概率更小。

同樣，eSLC和SLC也是類同”

以上的摘抄，讓我們先做個(gè)簡單解讀：其實(shí)閃存技術(shù)早在近30年前就已亮相，而且至今在個(gè)人用戶已使用廣泛。并非一個(gè)完全嶄新的技術(shù)?；叵牍P者在15年前接觸到的8MB的U盤，當(dāng)時(shí)覺得非常神奇和方便。

從IT界的發(fā)展來看，不論是CPU、內(nèi)存、網(wǎng)絡(luò)包括之前的硬盤存儲技術(shù)，似乎都是從金融業(yè)用戶到個(gè)人電腦，從軍用到民用這樣的過程，但似乎閃存技術(shù)走的卻與眾不同。其實(shí)也很好理解，現(xiàn)在的用戶已經(jīng)不再簡單為權(quán)威和廠商馬首是瞻，而是都已擁有自己社交圈、獨(dú)立的思考分析能力。只有給客戶帶來價(jià)值的產(chǎn)品，才能立足張遠(yuǎn)。否則，即使如柯達(dá)、諾基亞、SONY這樣龐大悠久的金融業(yè)，也會(huì)終將只能成為過眼云煙。

那么，閃存對于金融業(yè)級存儲到底帶來了那些創(chuàng)新呢?

1.3閃存給金融業(yè)存儲帶來的創(chuàng)新

這里請先讓筆者先引用一下來自ChinaByte的2012年SPC-1的匯總表來加以說明：

雖然表中的記錄有基于傳統(tǒng)磁盤的云存儲代表之一的3PAR保持，但大家不難看到，比較突出是TMS的20塊以閃存技術(shù)為基礎(chǔ)的SSD固態(tài)硬盤組成的全閃存陣列，竟然已經(jīng)接近1920塊HP 3PAR的傳統(tǒng)硬盤，單盤性能比為85：1。

由于統(tǒng)計(jì)的時(shí)間關(guān)系，這里少了這1年半來的技術(shù)進(jìn)展，特別是2012年春IBM的SVC僅僅利用傳統(tǒng)磁盤達(dá)到的52萬IOPS的新高度，和HDS利用自有的閃存盤達(dá)到的68萬存儲IOPS新紀(jì)錄以及IBM利用780主機(jī)搭配SSD盤達(dá)創(chuàng)造了78萬的目前最高SPC-1記錄;但這些并不影響我們做以上的對比，同樣用我們上節(jié)的方法從更完整的角度對比一下：

時(shí)間 型號 磁盤數(shù) IOPS 95%響應(yīng)時(shí)間 5ms內(nèi)的IOPS 數(shù)據(jù)保護(hù) 容量

GB

2012 IBM SVC 1920 520,043 <7s 416,002 Mirror 97,581

2013 HDS VSP 24 602,019 <1ms 602,019 Mirror 11,610

2013 IBM 780 240 780,081 <6S 623,942 Mirror 28,400

通過上述對比，我們不難分析出閃存技術(shù)在金融業(yè)存儲的顯著優(yōu)勢：

1.性能----在相同空間、能耗大小的情況下，閃存技術(shù)將提供成10倍以上的IOPS、1/5以下的響應(yīng)時(shí)間。

2.環(huán)保----同樣IOPS的要求下，閃存技術(shù)可以成10倍的節(jié)省占地空間和能耗。

這樣的結(jié)果，和當(dāng)年磁盤與磁帶的對比何其相似，和最近幾年物理帶庫與虛擬帶庫的PK如出一轍。

而如果我們再追根溯源，參考上面引用的閃存的實(shí)現(xiàn)原理，也就知道SDD盤的核心是電子的，HDD硬盤核心還是機(jī)械的，這樣的對比結(jié)果也就自然在意料之中;因此閃存技術(shù)從長遠(yuǎn)來看，也就成了大家給予厚望的超越FC、SAS、SATA等傳統(tǒng)磁盤技術(shù)的創(chuàng)新一代存儲技術(shù)。

我們可以看到，在過去一段時(shí)間，存儲廠商對于閃存技術(shù)給予了高度的關(guān)注。2013年2月下半，NetApp發(fā)布了其首款全閃存陣列EF540，不到兩周之后，EMC發(fā)布了新的Xtrem閃存產(chǎn)品家族，包括已開始向精選客戶交付XtremIO全閃存陣列。兩大獨(dú)立存儲廠商先后推出全閃存陣列，讓閃存大戰(zhàn)持續(xù)升溫，而IBM的2013年8月推出4款FlashSystem產(chǎn)品，更是進(jìn)一步將閃存熱度推向了新的高度。

可是，閃存技術(shù)的金融業(yè)存儲真的已經(jīng)準(zhǔn)備好了嗎?

1.4閃存給金融業(yè)存儲帶來的實(shí)際價(jià)值

不仿讓我們先來看看幾大主流存儲廠商的媒體上的宣傳：

EMC發(fā)布加速閃存應(yīng)用的戰(zhàn)略綱要 -EMC中國

“EMC2011年5月發(fā)布了加速閃存應(yīng)用的戰(zhàn)略綱要，以進(jìn)一步促進(jìn)超高性能、高能效閃存存儲技術(shù)在信息基礎(chǔ)架構(gòu)中的應(yīng)用。

EMC簡要介紹了“閃電計(jì)劃(Project Lighting)”，即基于PCIe/閃存的服務(wù)器高速緩存技術(shù)。這種采用閃存的獨(dú)特方法與EMC FAST(全自動(dòng)存儲分層)軟件相結(jié)合，能優(yōu)化從存儲陣列到服務(wù)器的數(shù)據(jù)替換，提高性能和效率。

EMC計(jì)劃為金融業(yè)應(yīng)用評估和交付新一代大容量、低成本的MLC(多層單元)SSD，使閃存技術(shù)的價(jià)格比現(xiàn)在采用SLC(單層單元)技術(shù)更實(shí)惠。

EMC計(jì)劃為需要最高性能的環(huán)境提供全閃存版Symmetrix® VMAX™和EMC® VNX™存儲系統(tǒng)。

EMC公司(NYSE：EMC)概述了加速一項(xiàng)大膽的戰(zhàn)略，旨在加速閃存存儲技術(shù)在信息基礎(chǔ)架構(gòu)中的采用和創(chuàng)造性應(yīng)用。與機(jī)械硬盤驅(qū)動(dòng)器相比，閃存存儲器儲存和檢索數(shù)據(jù)的速度高一個(gè)數(shù)量級，而且所需能耗顯著降低。

為了促進(jìn)“閃電計(jì)劃”的實(shí)施，EMC還成立了專門的閃存業(yè)務(wù)部，以發(fā)現(xiàn)并利用新的市場機(jī)會(huì)和新技術(shù)，建立并管理戰(zhàn)略性合作伙伴和供應(yīng)商關(guān)系。”

HDS閃存時(shí)代的IT價(jià)值觀-存儲在線

”如何建立彈性化的基礎(chǔ)架構(gòu)云，HDS中國區(qū)解決方案與專業(yè)服務(wù)事業(yè)部總監(jiān)陳戈認(rèn)為需要在虛擬化、統(tǒng)一、融合和自動(dòng)化四個(gè)方面專注。而HDS所注重的虛擬化包括服務(wù)器虛擬化和存儲虛擬化，統(tǒng)一管理包括對塊數(shù)據(jù)和文件數(shù)據(jù)的統(tǒng)一，以及對SAN和NAS的快速訪問，對閃存與磁盤的統(tǒng)一管理。同時(shí)建立融合架構(gòu)簡化部署，提升存儲效率。并進(jìn)一步考慮如何解放金融業(yè)用戶的IT維護(hù)，需要自動(dòng)化提升用戶決策效率，釋放資源。

顯然，HDS考慮更多的是金融業(yè)用戶本身的應(yīng)用，如何在不改變金融業(yè)用戶現(xiàn)階段的存儲體系架構(gòu)的同時(shí)，最大化地發(fā)揮閃存優(yōu)勢。目前在制造、流通等行業(yè)使用閃存還是比較少，金融業(yè)用戶現(xiàn)狀說明了閃存的利用是分階段，并不是一步到位的。為此，HDS沿襲HUS架構(gòu)，為金融業(yè)用戶提供在閃存以及虛擬化等多個(gè)方面的IT新價(jià)值觀。”

華為2013年存儲市場戰(zhàn)略分析-IT168 存儲專區(qū)

“在華為存儲戰(zhàn)略中最主打的就是高端存儲，但是另外我們注意到華為在閃存方面也有著深厚的積累。最直接的就是ES3000 PCIe閃存卡和OceanStor中的 Dorado系列全閃存陣列。不久之前ES3000閃存卡在StorageReview做的一項(xiàng)數(shù)據(jù)庫環(huán)境下的閃存方案評測中得到了第一名的成績。在全閃存陣列方面華為通過Dorado也做了第一手的積累。華為的閃存戰(zhàn)略也是自研為主，并將閃存應(yīng)用到自己的服務(wù)器、存儲等產(chǎn)品中。 “

從IBM在中國發(fā)布FlashSystem看閃存未來-存儲在線

”2012年8月，IBM正式收購TMS。在IBM收購TMS之后，2013年又宣布它將在2015年之前投資10億美元開發(fā)新的閃存技術(shù)，IBM押寶閃存可謂“意味深長”。不過，TMS在被收購之前的幾年里，一直在開發(fā)閃存存儲產(chǎn)品。為此，在TMS并入IBM之后第一個(gè)成果便促進(jìn)了FlashSystem的誕生。

2013年5月7日，基于TMS技術(shù)的新閃存存儲陣列IBM FlashSystem 710和810正式對中國用戶發(fā)布。那么，IBM在發(fā)布完FlashSystem全閃陣列之后，IBM閃存路線圖又將是什么樣的?押寶閃存為IBM存儲帶來了哪些新的改變?

有一點(diǎn)特別值得注意，TMS進(jìn)入IBM藍(lán)色陣營之后，在繼續(xù)閃存的研究，對于那些新閃存技術(shù)將針對社交媒體、移動(dòng)和大數(shù)據(jù)等現(xiàn)代工作負(fù)載進(jìn)行優(yōu)化。這估計(jì)是IBM閃存路線圖中最為重要的一條線。加之文首提及的投資10億美元的計(jì)劃，可見IBM對于閃存的未來非?？粗?。

在談到閃存發(fā)展態(tài)勢時(shí)，IBM院士、存儲首席技術(shù)官許育誠分析認(rèn)為，在美國宣稱自己是閃存公司大概有137家，但并不是每家都能做金融業(yè)級閃存，閃存最大挑戰(zhàn)性是創(chuàng)新，用在數(shù)碼和用在金融業(yè)級方面有很大的不同。

不過，從最近5年來看，IBM通過收購整合，形成了IBM存儲的優(yōu)勢陣營。包括如XIV、DS8000、TMS等，同時(shí)IBM也將存儲新技術(shù)快速地整合到它的存儲產(chǎn)品線。 “

撥開廠商宣傳的層層迷霧，我們力圖來展現(xiàn)一個(gè)更真實(shí)的閃存技術(shù)的現(xiàn)狀：

1.閃存的耐寫能力還需繼續(xù)提高：

從目前的技術(shù)來看，由于閃存天然有著有限的P/E 循環(huán)次數(shù)，eMLC基本<30K，而eSLC<100K;這一點(diǎn)在高IOPS寫的情況下成為了明顯的缺陷，數(shù)碼相機(jī)引用幾百次換一下是無所謂的，不可能一天做一兩百萬次I/O，但對于金融業(yè)級用戶來說這是很正常的。

這樣也意味著，即使閃存盤的耐寫能力和原有硬盤相當(dāng)，也要承受成10倍以上的寫入考驗(yàn)，何況這一點(diǎn)天然特性使得即使絕大多數(shù)采用頂級eMLC甚至eSLC的閃存SSD盤也很難撐過3年以上高寫入率的數(shù)據(jù)庫應(yīng)用，而我們知道在很多行業(yè)，一個(gè)存儲使用8-10年為很正常的事情。這也是我們看到眾多主流廠商的宣傳和實(shí)際操作中，對如何均衡每個(gè)閃存顆粒的P/E 循環(huán)次數(shù)、冗余空間等等作出的不懈努力，目的只有一個(gè)，希望能延長閃存盤的壽命。

固態(tài)硬盤磁盤磨寫指數(shù)耐力測試

這是我們網(wǎng)上收集的一份關(guān)于固態(tài)硬盤折磨測試的報(bào)告，圖表中顯示的數(shù)據(jù)表明藍(lán)色數(shù)值為該款SSD的讀寫壽命容量，紅色數(shù)值為截至到測試結(jié)束所寫入的容量大小。簡單來講就是當(dāng)產(chǎn)品寫入到藍(lán)色數(shù)值容量后將壽命耗盡，但同樣能夠看到多數(shù)硬盤都能夠超過100TB的寫入值，這個(gè)測試為MLC，即3000次寫入的結(jié)果。

舉例來說，筆者知道的一套系統(tǒng)，雖然容量為10TB，但每晚會(huì)更新1TB數(shù)據(jù)，高達(dá)1億次寫入，傳統(tǒng)可能采用80塊300GB盤完全能夠滿足5年以上壽命的要求，而這樣雖然性能上10塊SSD盤完全能夠勝任，但目前不僅容量可能無法滿足，壽命能撐到5年也可堪憂。

2.成本在逐步走低，但依然高昂：

在相同容量下，即使最低價(jià)格的全閃存存儲的價(jià)格也是至少是高端SAS硬盤存儲的4倍以上;在加上廠商為了確保必須的壽命，采用的冗余均衡顆粒擦寫的方式，可用容量將更小。

1. 正因?yàn)槿绱耍?不僅高舉“閃存第一”的EMC，實(shí)際操作中只是重點(diǎn)客戶推薦，并非全面推廣;而目前IBM推出的四款 FlashSystem更是”精確制導(dǎo)“，

其主打場景也暗合以下特點(diǎn)，恰恰應(yīng)證了本文的觀點(diǎn)：

環(huán)保要求高

預(yù)算相對寬松的行業(yè)

基本都是非高寫入率的應(yīng)用

IOPS性能改善可帶來業(yè)務(wù)能力提升

1. 如希望交易提速占領(lǐng)先機(jī)的金融行業(yè)、電商行業(yè)，希望一次極速寫入多次讀取的視頻制作行業(yè)，希望能及時(shí)處理越來越龐大的后臺忙時(shí)試呼的移動(dòng)公司等非常有限的場景。
2. 也就是說，綜上所述，個(gè)人以為，雖然EMC和IBM早在2008、2009年就推出閃存金融業(yè)存儲的相關(guān)產(chǎn)品，但目前仍未成熟到可以大面積推廣的程度，即使到今天的2013年也許只能作為閃存的金融業(yè)存儲的真正開元之年。
3. 那么，既然閃存技術(shù)還沒完全準(zhǔn)備好，為什么主流存儲廠商會(huì)如此熱衷呢?

1.5閃存技術(shù)的金融業(yè)級存儲展望

有一句俗話，叫“無利不起早”，還有一句叫“敢為天下先”。主流存儲廠商今年如此賣力的吆喝，自然有內(nèi)在的原因，讓我們一起對未來以閃存技術(shù)為基礎(chǔ)的金融業(yè)存儲做個(gè)展望吧。

目前，從業(yè)內(nèi)對閃存的應(yīng)用場景分析來看：一是主機(jī)FLASH卡，如 FUTION-IO、NetApp等廠商，一般用戶都利用它提升讀的I/O，在一些互聯(lián)網(wǎng)金融業(yè)采用比較多，包括國內(nèi)的淘寶對hadoop的使用;二是存儲端二級讀Cache，包括NetApp的閃卡、IBM SVC的Easy Tier等;三是全閃存高端存儲，如IBM的FlashSystem等。

此外，包括IBM、Netapp等廠商也一直致力于更有效采用混合方式為全閃存陣列提供了一個(gè)極具成本效益的替代選擇，比如IBM 在DS8000和SVC等廣泛使用的Easy Tier?？尚刨嚨挠脖P存儲將繼續(xù)承擔(dān)金融業(yè)存儲環(huán)境中最繁重的工作。就像多功能乘用車一樣，硬盤在價(jià)格與容量方面仍然具有無以比擬的價(jià)值。硬盤陣列非常適用于需要大量存儲空間，但對性能要求不高的應(yīng)用程序，如文件存儲應(yīng)用程序或備份和恢復(fù)任務(wù)。金融業(yè)可采用高容量SATA磁盤，其容量最高已可達(dá)4TB，或者使用更高速的SAS盤，亦或是二者相結(jié)合，其成本僅為每GB幾美分。換而言之，磁盤陣列使用頻率少，但是卻可以存儲的更多。

未來，我們有理由相信這幾個(gè)場景會(huì)加以融合，比如IBM的SVC可以很好的融合IBM的FlashSytem，并有效利用Easy Tier，壓縮、重刪技術(shù);而主機(jī)上安裝的flash卡和存儲無縫連接，即可以保證更塊的讀寫又可以保證數(shù)據(jù)的一致性和可靠;甚至?xí)蚳adoop之類的分布式存儲云有機(jī)結(jié)合，從而將讓客戶能夠得到性價(jià)比最好的解決方案。

而且，我們也應(yīng)該看到，像所有新技術(shù)的變革都不是一蹴而就，隨著科技的發(fā)展， 上述閃存的2個(gè)劣勢也正在快速改善，比如最新SSD硬盤的容量已可突破1T，未來或許可以達(dá)到6T;而據(jù)IDC稱，固態(tài)存儲陣列解決方案的價(jià)格將以每年28.7%的速度下降，將從2012年的11.12美元/GB下降至2016年的2.88美元/GB;

同時(shí)據(jù)IDC稱，閃存市場將在未來幾年出現(xiàn)明顯擴(kuò)張，以平均每年58.5%的速度增長，全球閃存年出貨量將從2013年的31PB增長到2016年的611PB。這樣的預(yù)測雖然不是每次都精準(zhǔn)，但至少代表了一個(gè)趨勢，也促使廠商大量投入，從而推動(dòng)了閃存技術(shù)的快速發(fā)展。大家可以欣喜的看到，“摩爾定律所預(yù)測尺寸縮小一半時(shí)程因子為每三年，但是在近期NAND型閃存的例子上這個(gè)因子卻是每兩年”。

相信在不遠(yuǎn)的將來，我們可以花更少的錢，卻享受科技帶來的成十倍改善的更快、更環(huán)保、更可靠、更智能的金融業(yè)存儲。