隨著AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的興起，業(yè)界對(duì)于存儲(chǔ)的要求達(dá)到了一個(gè)新的高度。但現(xiàn)在主流的存儲(chǔ)中，NAND的傳輸速度比較慢，而傳輸較快的DRAM則是易失性的，這就推動(dòng)存儲(chǔ)供應(yīng)商往下一代的存儲(chǔ)進(jìn)軍，其中ReRAM就是其中一個(gè)代表。

這個(gè)被稱(chēng)作可變電阻式內(nèi)存(Resistive random-access memory)是一種新型的非易失性?xún)?nèi)存，擁有消耗電力較低，且寫(xiě)入信息速度比NAND閃存快1萬(wàn)倍的特點(diǎn)。能夠被應(yīng)用到系統(tǒng)的主內(nèi)存(DRAM)和儲(chǔ)存器(NAND 閃存)之間，填補(bǔ)這兩者之間日益增大的延遲差距;或者被應(yīng)用到神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中，實(shí)現(xiàn)人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)。早前惠普推出的新型計(jì)算機(jī)“The Machine”就應(yīng)用了這項(xiàng)存儲(chǔ)技術(shù)。除此之外，包括4DS、Adesto、Crossbar、美光、松下、三星、索尼等公司也在開(kāi)發(fā) ReRAM技術(shù)。

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但是，ReRAM是一項(xiàng)很難掌握的技術(shù)：

對(duì)晶圓廠的生產(chǎn)來(lái)說(shuō)，它是一種相對(duì)簡(jiǎn)單直接的工藝。ReRAM 和 STT-MRAM 都只需要少量幾個(gè)掩模步驟而且可在晶圓廠中所謂的生產(chǎn)線后道工序(BEOL)制造生成。而且 STT-MRAM 和 ReRAM 都構(gòu)建在芯片的金屬層的觸點(diǎn)或通孔之上。

除制造以外，測(cè)試也是需要亟待翻越的另一座大山。如我們需要解決其中的缺陷測(cè)試問(wèn)題。

在正常條件下，ReRAM能夠在HRS和LRS兩種狀態(tài)建切換，這時(shí)候CFR能夠被觀察到，然后就能根據(jù)觀察狀態(tài)找到問(wèn)題所在。為達(dá)到這些目的，就需要針對(duì)可靠性評(píng)估開(kāi)發(fā)出新的表征技術(shù)。自動(dòng)化程度極高的Keithley 4200就能***解決這些問(wèn)題。

我們知道，摩爾定律的發(fā)展，推動(dòng)著邏輯產(chǎn)品向微縮發(fā)展。新制程、材料、架構(gòu)甚至新產(chǎn)品概念的引入，都會(huì)給產(chǎn)品的可靠性帶來(lái)挑戰(zhàn)，進(jìn)而給測(cè)試設(shè)備帶來(lái)了。例如越來(lái)越薄的氧化層，就要求更快的測(cè)試速度;如何區(qū)分和明白不同類(lèi)型的缺陷，對(duì)他們來(lái)說(shuō)就顯得尤其重要。