有分析師表示，XPoint和其他***內存技術成為服務器設計標準的前景正在受到阻礙，因為這些部分成本太高。

因為這是小批量生產的，所以不會出現(xiàn)規(guī)模經濟使其成本更低一些。

Object Analysis分析師Jim Handy在1月份的SNIA閃存高峰會上解釋了這一點，并從內存層開始分析。

Objective Analysis內存層的幻燈片

這個圖表顯示了在一個以性能定義的領域的內存和存儲技術，也就是帶寬(垂直訪問)和成本(橫軸)。

從左到右有一個對角線，從底部的磁帶(慢速低成本)到磁盤、SSD、DRAM和緩存層到L1緩存，這是圖表上最快和也是成本***的部分。

在任何時候任何點想要沖入內存層的新技術都要比它之下的技術性能更高，比其上的成本更低。

我們已經看到NVDIMM試圖填補SSD-DRAM的差距，但普遍失敗了——例如Diablo Technologies。

Handy表示，在2004年前后NAND也遭遇了同樣的問題，在此之前SLC(1位/單元)規(guī)格下，要比DRAM(每GB成本)成本更高，盡管一個100毫米模片采用了44納米工藝、可保存8GB的數(shù)據，相比之下同樣的DRAM模片可保存4GB數(shù)據。兩倍的數(shù)量意味著成本減半，但實際上并沒有——因為沒有足夠的產量來實現(xiàn)規(guī)模經濟。

Handy表示，2004年，NAND閃存晶圓的數(shù)量達到DRAM晶片數(shù)量的三分之一，我們看到了一個交叉點：

自從NAND和DRAM價格曲線分開之后，MLC(2位/單元)、TLC(3位/單元)和3D NAND(更多位/芯片)也加速了分離。

后來出現(xiàn)的***內存(PM)技術的制造成本很高，因為它涉及到新材料和新工藝，這使其更加昂貴，這就延長了獲得制造規(guī)模經濟所需的時間。

制造更多，支持更多

對于XPoint來說，NAND、NVDIMM-N以及其他針對填補DRAM-NAND空白的***內存技術帶來的經驗教訓，就是其制造產量需要足夠高以提供一個能夠填補內存層圖表上空白的性價比：

Handy認為，其制造量需要接近DRAM，還需要軟件支持，特別是***內存，要支持運行在Linux、Windows和VMware上。最初的PM占用是針對性能的，并且要求比NAND性能更高的速度和低于DRAM的價格。

Handy認為，在XPoint實現(xiàn)這一點之前是不會普及的。他表示，英特爾有足夠的動力來實現(xiàn)這一目標。

評論

如果三星能夠使其Z-SSD價格足夠便宜，那么它可以比XPoint更快地填補內存層上的DRAM與SSD之間的空白，并防止XPoint成為主流，而三星在開發(fā)自己的后NAND永內存技術以趕超XPoint。

其次，與XPoint競爭的技術，如STT-RAM、ReRAM和相變內存都還在開發(fā)中，除非有一個實際的路徑來制造影響力。這是一個嚴酷的世界。