就好像新款PC的主硬盤已經(jīng)全面過渡到SSD一樣，如今智能手機(jī)的閃存也都經(jīng)歷了一次較大的迭代，就是從eMMC閃存跨越到了UFS閃存。那么，又有誰在影響UFS閃存的性能呢?

RAM和ROM的區(qū)別

直到現(xiàn)在還有不少朋友搞不清RAM和ROM的差異，本文我們就再做次小科普。RAM代表手機(jī)內(nèi)存(又稱“運(yùn)存”)，就好像PC上的內(nèi)存條，只是手機(jī)內(nèi)存都是一顆單獨(dú)的芯片。ROM代表存儲空間(又稱“閃存”)，類似PC上的硬盤，而手機(jī)上的ROM依舊是以一顆NAND閃存芯片的形態(tài)存在。

閃存標(biāo)準(zhǔn)

早期智能手機(jī)都內(nèi)置eMMC閃存，它是在NAND閃存芯片的基礎(chǔ)上，額外集成了主控制器，并將二者“打包”封裝封成一顆BGA芯片，從而減少了對PCB主板的空間占用。eMMC的最新標(biāo)準(zhǔn)為eMMC 5.1，常見于千元以內(nèi)的入門級手機(jī)市場，讀取速度最高只有400MB/s左右。

UFS是eMMC的進(jìn)階版，它是由多個閃存芯片、主控、緩存組成的陣列式存儲模塊。UFS彌補(bǔ)了eMMC僅支持半雙工運(yùn)行(讀寫必須分開執(zhí)行)的缺陷，可以實(shí)現(xiàn)全雙工運(yùn)行，所以性能得以翻番。

UFS目前存在UFS2.0(讀取速度700MB/s)、UFS2.1(900MB/s)、UFS2.2(900MB/s)、UFS3.0(1700MB/s)和UFS3.1(1900MB/s)等標(biāo)準(zhǔn)，UFS2.x常見于中低端產(chǎn)品，UFS3.x則是高端手機(jī)的標(biāo)配。

閃存通道

和內(nèi)存一樣，UFS閃存也存在單通道和雙通道之別，兩者讀寫性能相差30%~50%之間。好消息是，如今新款手機(jī)都已標(biāo)配雙通道UFS，所以咱們只要簡單了解一下即可。

Write Turbo技術(shù)

Write Turbo是UFS3.0時期引入的一項(xiàng)虛擬技術(shù)，很多品牌主打的閃存增強(qiáng)技術(shù)大多是基于它優(yōu)化而來。我們都知道，現(xiàn)在手機(jī)閃存都是TLC介質(zhì)的NAND芯片，它的優(yōu)勢是可以在每個存儲單元中保存3bit，能以低成本實(shí)現(xiàn)更大的容量，但讀寫，特別是寫入速度遠(yuǎn)不如SLC NAND。

所謂的Write Turbo，其實(shí)就是虛擬SLC技術(shù)。它會將部分TLC閃存容量虛擬成SLC，當(dāng)手機(jī)在寫入數(shù)據(jù)時，系統(tǒng)會優(yōu)先將其寫入到虛擬的SLC空間，由于后者每個存儲單元只需保存1bit數(shù)據(jù)，所以寫入速度會有大幅提升(讀取速度也有明顯提升)。

但是，如果一次寫入的數(shù)據(jù)容量超過了虛擬SLC容量，讀寫速度便會驟降至TLC的水平上。

各大手機(jī)廠商會在虛擬SLC的容量和調(diào)度規(guī)則上存在差異，比如有些廠商會選擇全盤虛擬SLC的方式，隨著使用空間的逐漸增加，速度會逐漸下降。因此，都是內(nèi)置UFS3.1+Write Turbo閃存的手機(jī)，它們之間的實(shí)際體驗(yàn)可能也有高低之分。

最新量產(chǎn)的UFS2.2，本質(zhì)上其實(shí)就是UFS2.1+Write Turbo，可以將持續(xù)寫入速度從250MB/s提升到500MB/s以上。

磁盤陣列存儲系統(tǒng)

除了使用Write Turbo虛擬SLC以外，黑鯊4 Pro和黑鯊4S系列還給我們帶來了一個全新的思路——磁盤陣列存儲系統(tǒng)。

簡單來說，這款手機(jī)除了內(nèi)置閃存芯片以外，還額外添加了一顆來自群聯(lián)的SSD芯片，并將二者組成了Raid 0陣列，如此讓手機(jī)的讀寫速度都有著50%以上的提升。

RAMDISK磁盤加速器

黑鯊4 Pro和4S系列同時還主打一項(xiàng)名為RAMDISK磁盤加速器的功能。提起“RAMDISK”很多朋友應(yīng)該非常熟悉，很早以前CFan曾多次報(bào)道過如何將電腦閑置內(nèi)存使用虛擬成RAMDISK“內(nèi)存盤”，保存其中的程序運(yùn)行飛快，但每次關(guān)機(jī)內(nèi)存盤都會被清空，下次開機(jī)后還需重新加載程序。

電腦領(lǐng)域的RAMDISK內(nèi)存虛擬硬盤軟件

黑鯊的RAMDISK磁盤加速器的原理和內(nèi)存盤差不多，都是直接通過內(nèi)存模擬閃存存儲空間，讓游戲文件直接在內(nèi)存中完成讀寫，游戲的啟動、加載和運(yùn)行速度更是大幅提升。需要注意的是，該功能僅限標(biāo)配12GB或16GB內(nèi)存的高配版本，8GB內(nèi)存版則不支持RAMDISK技術(shù)。

原因也很簡單，在當(dāng)前的應(yīng)用環(huán)境8GB內(nèi)存都不嫌多，哪里還有額外空間供你虛擬閃存?此外，同一時間僅有一款游戲可以運(yùn)行在基于RAMDISK技術(shù)的極速模式下，想切換其他游戲時必須等待一定的時間讓極速模式掛載完成。

閃存內(nèi)存合二為一

作為手機(jī)內(nèi)部最占用PCB主板空間的“大戶”，內(nèi)存(包括隱藏在其下面的SoC)和閃存的體型都不小，如果能將這顆存儲芯片也和處理器內(nèi)存摞在一起，不就可以更加節(jié)省主板空間了嗎?2020年底，美光發(fā)布的uMCP5閃存技術(shù)就有望實(shí)現(xiàn)這個夢想。

簡單來說，uMCP5是全球首次通過MCP多芯片封裝的方式，在單顆芯片內(nèi)就完整集成了自家的LPDDR5內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片以及UFS 3.1控制器，它采用TFBGA封裝格式，最大可選12GB+256GB容量。其中，該產(chǎn)品LPDDR5內(nèi)存的部分支持6400Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率，UFS3.1閃存部分的編程/擦寫循環(huán)次數(shù)可達(dá)到5000次。

總之，美光uMCP5的出現(xiàn)，可以進(jìn)一步提升手機(jī)的存儲密度，節(jié)省內(nèi)部空間、成本和功耗，而我們也期待這種“二合一”的存儲芯片可以早日在手機(jī)領(lǐng)域量產(chǎn)，并有機(jī)會用于筆記本等其他計(jì)算設(shè)備領(lǐng)域。

小結(jié)

作為影響手機(jī)性能輸出的“鐵三角”，閃存和內(nèi)存的重要性不次于處理器，因此每次它們的技術(shù)革新，都會帶來切實(shí)的實(shí)際體驗(yàn)提升。希望大家今后在選購手機(jī)時，可以將目光多多投向這兩個領(lǐng)域的優(yōu)化和升級上。