12代酷睿誕生以來，除開CPU本身，最受關注的莫過于在先進協(xié)議上的革命，其一是全面支持PCIe5.0協(xié)議，為下一代的顯卡和存儲器提供了普及接口;其二便是全面引入新一代的DDR5內(nèi)存協(xié)議，打破了多年來內(nèi)存產(chǎn)品性能和體驗的“停滯不前”，引發(fā)新一輪的內(nèi)存浪潮。

關于前者，鑒于尚未出現(xiàn)消費級PCIe5.0相關產(chǎn)品，在此略過。今天，重點聊聊被譽為“內(nèi)存行業(yè)革命”的DDR5內(nèi)存。

DDR5內(nèi)存

關于DDR5內(nèi)存，大多數(shù)用戶的直觀感受便是頻率的提升，即由DDR4內(nèi)存2133MHz起步頻率，倍增至4800MHz，甚至根據(jù)最新消息DDR5內(nèi)存后續(xù)頻率甚至達到6000MHz以上水準。僅從數(shù)值觀感上而言，DDR5確實稱得上是一次內(nèi)存技術的大飛躍大革命，除開數(shù)值刺激，從技術角度，DDR5內(nèi)存主要有以下五大技術升級，其中最后一個出乎意料。

1.等效頻率成倍提升——跑得更快

DDR5最耀眼的技術升級，都是大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從“2133MHz”跨越式增長至“4800MHz”，甚至隨著當下DDR5內(nèi)存調(diào)參的深入，6400MHz或將成為主流水平。

頻率的提升，使得DDR5內(nèi)存在理論跑分上有了質(zhì)的飛躍，無論是在讀取測試、寫入測試，還是復制、延時方面，從跑分結果而言，DDR5無疑是超前，提升更是巨幅的。

DDR5內(nèi)存跑分

DDR4內(nèi)存跑分

這也是眾多用戶，對于DDR5內(nèi)存的第一印象，也是最易接受的技術創(chuàng)新，即頻率提升帶來的跑分提升，讓計算機在理論上能夠“跑得更快”了。

2.DRAM容量提升——容量更大

內(nèi)存的DRAM容量也是此次DDR5內(nèi)存技術提升的重點方向，在JEDEC的DDR4規(guī)范中，單顆內(nèi)存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。

單條64GB不是夢

換句話說，DDR4時代單條32GB可能便是消費級內(nèi)存的容量天花板了，可進入DDR5時代，標準規(guī)范的提升，制程工藝和內(nèi)部設計的冗余，使得單條32GB成為業(yè)界主流標準，甚至于后續(xù)單條64GB，乃至于單條128GB，都將成為可能。

當然了，以上容量規(guī)格的誕生，還需要DDR5技術進一步升級和優(yōu)化，以及消費用戶的接受程度，是一個漫長的革新過程;但標準協(xié)議的誕生，便是內(nèi)存容量擴充的積極信號。

3.工作電壓更低——功耗更低、超頻更強

如果說容量和性能的倍增是最為顯著的技術升級，那么接下來的內(nèi)部技術的升級和糾正，則是在更深維度進行了迭代優(yōu)化。

工作電壓的降低，便是其中重要的一環(huán)。

DDR5內(nèi)存工作電壓低至1.1V，對比DDR4最低1.2V的工作電壓，實現(xiàn)了20%左右的降低，它的降低擁有兩個重要意義。

其一是功耗方面，尤其是對于筆記本產(chǎn)品，以及企業(yè)級服務器產(chǎn)品而言，20%的功耗降低，具有顯著的節(jié)能意義;其二是超頻潛能，起始電壓的降低，使得后續(xù)進行超頻調(diào)參有了更大的可操作空間，能進一步提升內(nèi)存的超頻潛能。

4. On-die ECC下放——糾錯能力更強、運行更穩(wěn)定

實際上，隨著晶圓光刻技術不斷改進，DRAM芯片密度不斷提高，導致數(shù)據(jù)泄露、數(shù)據(jù)校正、數(shù)據(jù)出錯的可能性加大。尤其是在企業(yè)級應用場景下，為了避免數(shù)據(jù)錯誤的頻繁發(fā)生，業(yè)界便引入ECC糾錯機制，從而規(guī)避風險，提高可靠性并降低缺陷率。

而全新DDR5內(nèi)存，為了進一步穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸和校正，迎入了一項類似企業(yè)級應用場景的On-die ECC糾錯機制，該機制能夠動態(tài)糾正數(shù)據(jù)單位錯誤，或是數(shù)據(jù)編碼錯誤，為用戶日常應用的穩(wěn)定性，提供技術保障，這是企業(yè)級技術下放到消費級場景的一次大膽嘗試，也是DDR5內(nèi)存極具創(chuàng)新的重要產(chǎn)品升級。

5.雙32位尋址通道 單通道變雙通道——延遲更低、效率倍增

最后一項重要技術升級，便是雙32位尋址通道的引入，其基本原理是將DDR5內(nèi)存模組內(nèi)部64位數(shù)據(jù)帶寬，分為兩路帶寬分別為32位的可尋址通道，從而有效的提高了內(nèi)存控制器，進行數(shù)據(jù)訪問的效率，同時減少了延遲。

所以我們可以看到，單條DDR5內(nèi)存插入電腦后，部分專業(yè)軟件甚至直接識別為雙通道內(nèi)存，便是由于DDR5內(nèi)存模組激進的將“64位單通道”化為“獨立32位雙通道”的技術創(chuàng)新;當然這種雙通道設計，和常規(guī)意義上的雙通道還是存在相當區(qū)別，并不能和傳統(tǒng)意義上的兩條內(nèi)存組成雙通道進行對比，其提升的效果也視應用場景有著一定性能差異。

但總的來說，雙32位尋址通道的引入，對于尋址性能和延遲降低，有著顯著提升作用，DDR5總體性能的躍升某種意義上和該技術有著千絲萬縷的聯(lián)系。

6.DDR5新技術帶來的思索

DDR5內(nèi)存自從去年開始展露頭角，就一直深處風口浪尖，新技術的到來，必然會引發(fā)舊產(chǎn)品的脫節(jié)，新舊產(chǎn)品、新舊技術的更迭和換代，是科技行業(yè)無時無刻不在發(fā)生的必然事件。

對于從業(yè)者而言，快速了解和接納新技術新工藝，是繼續(xù)的根本;對于消費者而言，新技術可以不喜歡不看好，卻無法不接受，深處技術大躍進時代的你我，擋不住也躲不了，你說呢?