隨著制程工藝的進步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機，但是設(shè)備實在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實現(xiàn)單條1TB。

作為第一家推出24Gb核心DDR5的內(nèi)存公司，美光日前又創(chuàng)造了一個新紀錄——推出了32Gb核心的DDR5內(nèi)存顆粒，使用的是比前者1α工藝更先進的1β工藝，這也是美光最后的非EUV工藝了，再往后不想上EUV也沒招了。

美光沒有透露32Gb核心內(nèi)存顆粒的具體速度，但是這種內(nèi)存最大的優(yōu)勢就是可以堆棧出單條1TB的內(nèi)存條，只需要32個8-Hi堆棧即可，現(xiàn)在的24Gb核心還做不到這么大容量。

當然，美光實際上并不會推出這么大的內(nèi)存條，明年量產(chǎn)32Gb核心之后，首先是單條128GB，還有192GB、256GB，而512GB、1TB的還不在路線圖上，2026年前都沒戲。

另外，在HBM這條路線上，美光剛推出了HBM3 Gen2（這都什么命名方式，跟驍龍學的），做到了24GB容量，帶寬1.2TB/s。

后續(xù)還有36GB容量的，2026年之后則是下一代HBM（HBM4？），容量36GB到64GB，帶寬1.5到2TB/s以上了。

顯存GDDR路線上，2025年會推出GDDR7，頻率32Gbps，核心容量16-24Gb，帶寬128GB/s以上。