英偉達最強芯片B200被迫推遲三個月，傳聞鬧的沸沸揚揚。

老黃的對策來了：閹割版芯片B200A曝光。

這難道就是“產(chǎn)能不夠，刀法來湊”？

沒錯，根據(jù)SemiAnalysis分析，B200遇到的主要問題正是產(chǎn)能不足，更具體來說是臺積電的新封裝工藝CoWoS-L產(chǎn)能不足。

閹割版的B200A將先用于滿足中低端AI系統(tǒng)的需求。

閹割版B200A，內(nèi)存帶寬縮水

為什么說B200A是閹割版？

指標上主要體現(xiàn)在內(nèi)存帶寬，4TB/s，比年初發(fā)布會上B200宣傳的8TB/s直接縮水一半。

這背后就是封裝工藝由CoWoS-L退回CoWoS-S了，甚至B200A據(jù)稱也兼容三星等其他非臺積電的2.5D封裝技術(shù)。

總的來說CoWoS先進封裝目前有三個變體，CoWoS-S、CoWoS-R和CoWoS-L，主要區(qū)別在中介層（interposer）的方案。

中介層介于芯片晶圓和印刷電路板之間，實現(xiàn)芯片與封裝基板之間的信息交換，同時提供機械支撐和散熱能力。

CoWoS-S結(jié)構(gòu)最簡單，中介層就相當于一片硅板。

CoWoS-R使用了RDL技術(shù)（Redistribution layer，再分布層），中介層是多層結(jié)構(gòu)的薄金屬材料。

CoWoS-L最復雜，在RDL中介層中加入了一種LSI芯片（Local Silicon Interconnect，局部硅互聯(lián)），可以實現(xiàn)更高布線密度，也可以做成更大尺寸。

臺積電推出CoWoS-L，是出于舊版技術(shù)在尺寸和性能繼續(xù)增長上面臨困難。

比如在AMD的AI加速芯片MI300上，CoWoS-S中介層已經(jīng)擴大到了原標準的3.5倍，但仍難以滿足未來AI芯片性能增長需求。

但現(xiàn)在，有消息稱CoWoS-L在產(chǎn)能攀升中遇到一些問題，可能出現(xiàn)硅、中介層和基片之間的熱膨脹系數(shù)不匹配，從而導致彎曲，需要重新設計。

過去臺積電建立了大量的CoWoS-S產(chǎn)能，英偉達占據(jù)了最大份額?，F(xiàn)在英偉達的需求可以迅速轉(zhuǎn)向CoWoS-L，但臺積電需要時間才能把產(chǎn)能轉(zhuǎn)換到新工藝。

另外有消息稱，B200A的核心（內(nèi)部型號B102）將來也會用來造特別版B20，具體不展開了，懂得都懂。

B200訓大模型，還面臨其他挑戰(zhàn)

Blackwell主推的規(guī)格是“新一代計算單元”GB200 NVL72，一個機柜就有36塊CPU+72塊GPU。

算力很到位，一個機柜在FP8精度的訓練算力就高達720PFlops，直逼H100時代一個DGX SuperPod超級計算機集群（1000 PFlops）。

但耗電也很到位，據(jù)Semianalysis估算，功率密度約為每個機柜125kW，前所未有。在供電、散熱、網(wǎng)絡設計、并行、可靠性等方面帶來挑戰(zhàn)。

事實上，已經(jīng)用于大模型訓練的H100萬卡集群，業(yè)界也還沒有完全馴服好。

比如Llama 3.1系列的技術(shù)報告就指出，訓練期間平均3小時故障一次，其中GPU導致的問題占了58.7%。

總計419次故障中，148 次是由各種GPU故障（包括NVLink故障）引起，72次可以具體到是由HBM3內(nèi)存故障引起。

所以總的來看，就算老黃最終發(fā)貨了B200，AI巨頭真正建好B200集群投入大模型訓練，也還需要更多時間。

目前已經(jīng)開始訓練或接近完成的GPT-5、Claude 3.5 Opus、Llama 4等怕是用不上了，要到下下代模型才能見證Blackwell的威力。

One More Thing

針對B200推遲的傳聞，英偉達給出了官方回應：

Hopper的需求強勁，Blackwell的樣品試用已廣泛開始，產(chǎn)量有望下半年增加。

具體會不會延遲三個月，不做具體答復。

不過摩根士丹利在最新報告中比較樂觀，認為生產(chǎn)僅會暫停約兩周。