北京時(shí)間6月19日中午消息，76歲的IBM研究人員羅伯特·登納德(Robert H. Dennard)將于下周四獲得“電氣電子工程師協(xié)會(huì)”(IEEE)發(fā)的榮譽(yù)勛章。

登納德在IBM工作了51年，其主要成就有兩項(xiàng)：1960年代末發(fā)明的DRAM內(nèi)存芯片和1970年代中期發(fā)表的標(biāo)度理論(scaling theory)。標(biāo)度理論闡述了如何不斷縮小晶體管尺寸，開發(fā)更小、更快、更廉價(jià)芯片的方法。登納德稱標(biāo)度理論和摩爾定律“相得益彰”。

如果沒有DRAM芯片，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的情形將與目前的硬盤和筆記本電池相似。登納德回憶說，1960年代末，IBM大型主機(jī)主要使用磁芯存儲(chǔ)器。磁芯存儲(chǔ)器不但容易損壞，而且價(jià)格昂貴、速度慢，但其一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是具有非揮發(fā)性，即使斷電后保存的數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。

當(dāng)時(shí)，所有其他研究人員的存儲(chǔ)芯片原型都采用多晶體管設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)復(fù)雜，造價(jià)昂貴。為了解決這一問題，部分研究人員開始測(cè)試雙極晶體管。但登納德看好金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下簡(jiǎn)稱“MOSFET”)，他承認(rèn)，“MOSFET確實(shí)不夠先進(jìn)，而且存在一些問題，但我仍然認(rèn)為它非常有前途?！?/P>

登納德終于制造出了采用單晶體管設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元，并于1968年申請(qǐng)了專利，但存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)仍然是多晶體管DRAM芯片的天下，直到1970年代中期，首個(gè)采用單晶體管設(shè)計(jì)的DRAM芯片才問世。

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