引領(lǐng)3D NAND潮流,戴爾全閃存再次突破業(yè)界每GB成本
近日閃存領(lǐng)域的最大新聞,應(yīng)該是戴爾在其SC(Compellent)系列存儲(chǔ)陣列中率先增加TLC 3D NAND SSD的支持,現(xiàn)在開始提供業(yè)界單位容量成本($/GB)最低的全閃存陣列。戴爾也正式對(duì)外宣布,這將是:
①行業(yè)最低的$/GB,包括閃存裸容量和可用容量;
②以15K硬盤價(jià)格提供SSD;
③企業(yè)級(jí)全閃存陣列價(jià)格低至$1.66/GB(裸容量)
“硬指標(biāo)才是硬道理”最實(shí)在的每GB成本計(jì)算全閃存陣列最大的優(yōu)勢(shì)就是快,滿足用戶性能快的同時(shí)其最大的門檻就是物理容量,目前在解決性能與容量的矛盾問(wèn)題方面,業(yè)界友商采用了壓縮和重刪之后來(lái)計(jì)算每GB成本。但是按照戴爾的硬指標(biāo)來(lái)看,全閃存陣列應(yīng)該比較物理容量才能更貼近用戶需求,而不是用不可控的壓縮或者重刪來(lái)美化結(jié)果。另一方面,戴爾也在滿足用戶全閃存陣列大容量需求的同時(shí),Dell SC和EQ系列都支持并且免費(fèi)提供壓縮和重刪功能,對(duì)于這點(diǎn),戴爾在業(yè)界絕對(duì)領(lǐng)先。
TLC 3D NAND讀性能讓小伙伴驚呆了!目前,在戴爾SC存儲(chǔ)產(chǎn)品家族中支持3種SSD:寫密集型(WI)、高級(jí)讀密集型(PRI)和主流讀密集型(MRI)。其中新加入的MRI有4個(gè)容量標(biāo)準(zhǔn)——480GB、960GB、1.92TB和3.84TB。需要指出的是,用戶對(duì)于3.8TB的閃存容量需求,戴爾給予了業(yè)界最大化的滿足,已經(jīng)將最新的MRI最先推進(jìn)到用戶應(yīng)用端。戴爾本身更愿意傾聽用戶聲音,產(chǎn)品設(shè)計(jì)源于用戶需求本身,因此對(duì)于用戶需求把控非常明確,MRI對(duì)于讀密集型需求讀用戶將會(huì)帶來(lái)一次新的飛躍。
當(dāng)然,戴爾既然擁有多種類型SSD給予用戶的選擇,也是基于用戶需求差異性而考慮的。首先價(jià)格最貴的WI全面領(lǐng)先,這部分用戶需求重性能,WI可以給予充分滿足,因?yàn)閃I類型SSD不僅寫性能卓越,讀性能也同樣卓越。
其次,高級(jí)讀密集型(PRI)可以滿足用戶對(duì)于讀性能讀高級(jí)需求,對(duì)于價(jià)格方面稍微不那么敏感的用戶更利于接受。
另外就是新推出的MRI(TLC 3D)在隨機(jī)和順序讀性能上與之前的讀密集型MLC一樣保持了良好的水平。當(dāng)然,在對(duì)比15K HDD來(lái)看,MRI SSD在隨機(jī)IOPS方面的巨大優(yōu)勢(shì)自不必說(shuō)了。
總體分析來(lái)看,戴爾將用戶對(duì)于讀寫性能需求做了細(xì)致劃分,讓用戶對(duì)于SSD性能與成本選擇上有了更多的機(jī)會(huì),對(duì)整個(gè)全閃存陣列市場(chǎng)的拉力效應(yīng)必將是巨大的。新驅(qū)動(dòng)器(TLC 3D)相對(duì)于當(dāng)前RI(MLC)SSD,解決方案成本($/GB)降低50%,保持了優(yōu)秀的讀性能,對(duì)于在讀性能方面要求高并且還在乎成本的用戶來(lái)說(shuō),不能不算是一個(gè)福音;同時(shí)在對(duì)比15K HDD,則有著優(yōu)異的讀寫性能,并維持相同的解決方案成本,這明顯指明了用戶采用閃存替代磁盤的最佳途徑之一。
名不虛傳的殺手锏:閃存優(yōu)化分層
TLC 3D NAND SSD在SC陣列中的配置方法,戴爾有兩種方案:
a.全閃存,替代15K HDD并加快通用陣列的速度,可選7.2K HDD混合分層。該方案能夠以相同成本提供24倍硬盤配置的IOPS,具備低延時(shí)、低功耗/冷卻需求和較小的空間占用。當(dāng)然這種配置應(yīng)該主要是針對(duì)讀密集型應(yīng)用,寫入數(shù)據(jù)量較大的推薦下面的方案。
b.WI寫密集型和MRI主流讀密集型SSD分層(同時(shí)也可選7.2K HDD混合分層),TLC 3D NAND在這里進(jìn)一步降低了只讀訪問(wèn)的Tier 2閃存層價(jià)格,同時(shí)相比其它MLC SSD沒有性能下降。這種高級(jí)性能“閃存優(yōu)化型”陣列的特點(diǎn),我們?cè)凇断騁artner全閃存魔力象限說(shuō)“不”》一文中介紹過(guò),所有來(lái)自主機(jī)的寫操作都進(jìn)入RIAD 10的Tier 1,然后定期以固定尺寸數(shù)據(jù)塊順序遷移到RAID 5/6的Tier 2中,兼顧了讀/寫性能、空間利用率和閃存壽命。
可以看出,閃存優(yōu)化分層是戴爾平衡成本、性能與壽命的強(qiáng)大武器,并不是一味追尋所謂的“AFA(全閃存陣列)”。從數(shù)據(jù)生命周期的角度來(lái)考慮,AFA不支持磁盤是缺憾, 而戴爾堅(jiān)持扎扎實(shí)實(shí)在閃存級(jí)別上做優(yōu)化,在業(yè)界唯一的SLC/eMLC分層的基礎(chǔ)上,再次全球第一個(gè)推出TLC閃存陣列。
同時(shí),戴爾也認(rèn)為TLC不是用來(lái)代替eMLC和SLC做業(yè)務(wù)密集型(如寫入頻繁的OLTP)存儲(chǔ)的,而是容量型,戴爾對(duì)于用戶需求定位非常準(zhǔn)確,絕不含糊。TLC在閃存中的定位有些類似于機(jī)械硬盤中的NL-SAS,區(qū)別在于TLC的讀性能是不打折扣的。當(dāng)然,對(duì)于不同用戶的需求,戴爾也有專業(yè)工具和專業(yè)人員來(lái)設(shè)計(jì)合適的方案。
因制程不同 - 3D TLC將擁有與2D MLC相對(duì)等的使用壽命
利用多層堆疊封裝,3D NAND能否提高閃存顆粒的密度。同時(shí),搭配更加成熟3x-50nm半導(dǎo)體工藝,在相同的閃存類型(比如MLC vs. MLC,TLC vs. TLC)上比現(xiàn)今前沿的1x-20nm閃存會(huì)有更好的耐久度。我們知道,隨著cell單元尺寸的不斷縮小,NAND的P/E Cycle(編程/擦除周期)呈不斷下降趨勢(shì)。
戴爾存儲(chǔ)產(chǎn)品管理執(zhí)行董事Travis Vigil在他的博客中這樣寫道:“對(duì)于繁重寫入的負(fù)載,戴爾也能更長(zhǎng)期地保護(hù)Tier 2中的3D TLC SSD。戴爾對(duì)此非常自信,承諾所有SSD類型的生命周期與陣列的服務(wù)計(jì)劃一樣長(zhǎng),我們將更換任何損壞的驅(qū)動(dòng)器而不考慮(閃存)磨損等級(jí)或者最大壽命。”
也就是說(shuō),只要在陣列的保修服務(wù)期內(nèi),無(wú)論SSD是否因?yàn)槌鰧憠勖拗贫鴵p壞,戴爾都將免費(fèi)更換。
正是因?yàn)槲覀兦懊娼榻B的閃存優(yōu)化分層等優(yōu)勢(shì)技術(shù)帶來(lái)的改善,戴爾才能夠給出這種承諾!
戴爾SC4020現(xiàn)在能夠在2U空間內(nèi)提供90TB閃存,達(dá)到15K HDD(單盤最大600GB)密度的6倍。閃存取代高轉(zhuǎn)速硬盤的趨勢(shì)毋庸置疑,而戴爾對(duì)TLC 3D閃存的支持則像一個(gè)催化劑,將閃存陣列的普及之火會(huì)越燒越旺。
總結(jié)可見,引領(lǐng)3D NAND潮流,戴爾全閃存再次突破業(yè)界每GB成本只是一次小小的試水。在閃存領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)征途上,戴爾永遠(yuǎn)會(huì)堅(jiān)持用戶需求定位,以最先進(jìn)的技術(shù)與服務(wù)幫助用戶獲得最實(shí)在與優(yōu)惠的解決方案。對(duì)此,戴爾將會(huì)一如既往地在閃存新技術(shù)的應(yīng)用上保持既有的先進(jìn)性,并在未來(lái)給予用戶更大的回報(bào)。