【51CTO.com原創(chuàng)稿件】3D NAND憑著諸多的優(yōu)勢，成為兵家必爭之地。有消息稱，臺積電正在打算通過投資東芝閃存業(yè)務進軍3D NAND領域，并且已經(jīng)確定臺積電是東芝優(yōu)先選擇的幾個競爭者之一，因為它符合諸多條件，比如并未涉足NAND閃存芯片制造，而且不需要政府基金來進行風險投資。此外，臺積電也不可能竊取東芝的專利內(nèi)存技術和知識產(chǎn)權，或者霸占新公司的所有權和管理權。

　　消息稱，臺積電還希望成功勸說東芝在臺灣建立3D NAND閃存工廠，為其提供包括降低當?shù)厣a(chǎn)成本等支持。

　　有報道稱，臺積電可以成為東芝***的生產(chǎn)合作伙伴，因為臺積電可以幫助東芝擴展其在3D NAND閃存領域的業(yè)務。臺積電和東芝的合作還可以挑戰(zhàn)行業(yè)的長期領先者三星，三星通常會通過閃存業(yè)務產(chǎn)生足夠多的利潤來補貼邏輯IC部門。

　　自東芝確認在今年4月1日將閃存業(yè)務部門剝離并成立一個單獨的公司后，競購東芝閃存業(yè)務的公司不在少數(shù)。近日，富士康科技集團董事長郭臺銘稱，該公司正在競購東芝公司的閃存子公司，因為兩家公司的業(yè)務能很好的匹配，并表示“不能說我們志在必得，但我們很有信心，我們也很有誠意”。

　　除了臺積電和富士康的動作外，包括蘋果、美光、微軟、海力士和西部數(shù)據(jù)以及多家資本基金都加入了競爭行列。東芝閃存業(yè)務將會花落誰家?相信4月1日后，答案即能揭曉。

　　延伸閱讀：什么是3D NAND?有哪些優(yōu)勢?

　　在3D NAND之前，我們見到的多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND。3D 閃存，顧名思義就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。當然，3D NAND閃存也不再是簡單的平面內(nèi)存堆棧，這只是其中的一種，還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結(jié)構。

　　相較平面NAND，3D NAND有著非常明顯的優(yōu)勢。大家知道，NAND閃存有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進一步提高容量、降低成本，NAND的制程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND閃存跟處理器不一樣，先進工藝雖然帶來了更大的容量，但NAND閃存的制程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致于達到某個點之后制程工藝已經(jīng)無法帶來優(yōu)勢了。

　　相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，為了提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高制程工藝了，轉(zhuǎn)而堆疊更多的層數(shù)就可以了，這樣一來3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2，而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可以達到2.8Gb/mm2。

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