美光于上周公布2017財(cái)年Q1季度財(cái)報(bào)，當(dāng)季營(yíng)收39.7億美元，環(huán)比上漲23%，同比上漲19%，凈利潤(rùn)1.8億美元，較上個(gè)季度凈虧損1.7億美元，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，表現(xiàn)超市場(chǎng)預(yù)期。

收入來源構(gòu)成中，DRAM與NAND表現(xiàn)強(qiáng)勁。DRAM及NAND環(huán)比出貨量分別上升18%及26%、且DRAM單價(jià)環(huán)比大幅上升5%，推動(dòng)整體毛利率上升至25%、環(huán)比增長(zhǎng)7%。公司本季度凈營(yíng)收達(dá)1.8億美元，較上季度虧損1.7億美元大幅轉(zhuǎn)好，但仍低于去年同期的2.06億美元。盡管業(yè)績(jī)?nèi)栽谙禄?，但公司表現(xiàn)已經(jīng)超越市場(chǎng)預(yù)期。

公司杠桿比率有所降低，總債務(wù)(長(zhǎng)期+短期債務(wù))降低超2.65億美元，凈債務(wù)為53.21億美元。EBITDA為34.6億美元，對(duì)應(yīng)凈債務(wù)/EBITDA為1.54x。

存儲(chǔ)器是IC產(chǎn)業(yè)的重要應(yīng)用領(lǐng)域，占整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模超20%。該領(lǐng)域具有極高的技術(shù)壁壘和資本壁壘，在全球形成寡頭壟斷格局，包括美光在內(nèi)的3-4家廠商壟斷全球90%以上的市場(chǎng)，而國(guó)內(nèi)發(fā)展相對(duì)滯后。

近幾年來，存儲(chǔ)產(chǎn)品受益于移動(dòng)智能終端快速滲透，產(chǎn)品需求的高速增長(zhǎng)，過去三年復(fù)合增長(zhǎng)率18%，遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體行業(yè)整體7%的增長(zhǎng)速度，成為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的主要推動(dòng)力。

多方利好刺激，下半年存儲(chǔ)器價(jià)格上漲

存儲(chǔ)器歷經(jīng)自2015年起一年半的低迷，自今年下半年起價(jià)格一路上揚(yáng)。固態(tài)硬盤、內(nèi)存條等產(chǎn)品大幅漲價(jià)，且經(jīng)常處于缺貨狀態(tài)。此番漲價(jià)主要原因一方面在于各大存儲(chǔ)廠商均處在2D NAND轉(zhuǎn)向3DNAND的重要節(jié)點(diǎn)，出貨能力受限;另一方面，全球主流消費(fèi)電子廠商為拓展份額紛紛加大布局，智能手機(jī)、固態(tài)硬盤對(duì)存儲(chǔ)器需求大增導(dǎo)致供不應(yīng)求。

由于上半年跌幅較大，IC Insights預(yù)計(jì)2016全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)同比小幅下降1%。盡管如此，2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)受3D NAND替代2D NAND以及下游消費(fèi)電子持續(xù)強(qiáng)勁需求等因素驅(qū)動(dòng)，漲價(jià)預(yù)期強(qiáng)烈。2015年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)陷入困境。盡管存在供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制、新型應(yīng)用頻出等諸多利好，都未提振2015年的存儲(chǔ)器市場(chǎng)。個(gè)人電腦市場(chǎng)的低迷導(dǎo)致存儲(chǔ)器庫(kù)存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價(jià)格暴跌，2015年存儲(chǔ)器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。從2016年下半年開始情況出現(xiàn)反轉(zhuǎn)，存儲(chǔ)器價(jià)格開始變得異常堅(jiān)挺，而且持續(xù)到2016年末。

目前主流的閃存Planar NAND，屬于2D NAND。16nm、28nm仍然是NAND Flash的主流制程。隨著2D NAND Flash制程微縮逐漸逼近物理極限，平面微縮工藝的難度越來越大，尤其是進(jìn)入16nm后，繼續(xù)采用平面微縮工藝的難度和成本已經(jīng)超過3DTSV技術(shù)，廠商需要花更大的成本彌補(bǔ)尺寸縮小帶來的可靠性減損，NAND尺寸已經(jīng)達(dá)到一個(gè)可承受成本的臨界值。幾大存儲(chǔ)器龍頭公司在13-14年均已成功量產(chǎn)16nmNAND，但出于經(jīng)濟(jì)意義和未來發(fā)展前景的考慮，這些公司都沒有進(jìn)一步推出更小的平面制程，而是紛紛開始轉(zhuǎn)攻3DNAND。

3D NAND替代2D NAND，量產(chǎn)不足導(dǎo)致供應(yīng)趨緊

相比之下，3D NAND不是從尺寸減小的角度來提高NAND的容量、降低成本，而是通過堆疊更多的層數(shù)來實(shí)現(xiàn)。3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都能同時(shí)保障，如東芝的15nmNAND容量密度為1.28Gb/mm2，而三星32層堆棧的3DNAND可達(dá)到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可以達(dá)到2.8Gb/mm2。

為縮短投產(chǎn)周期，2016年原廠大多選擇直接將2D工廠改生產(chǎn)3D NAND生產(chǎn)線，其中三星把Fab16 16nm產(chǎn)線改投產(chǎn)48層3D NAND，東芝、美光、SK海力士也將部分2D生產(chǎn)線用于投產(chǎn)3DNAND，導(dǎo)致2016年2D NAND產(chǎn)出少。2016年NAND Flash供貨緊張，不能滿足持續(xù)增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，尤其在需求量旺盛下半年，各大廠商出貨倍感壓力，推動(dòng)NAND Flash價(jià)格的持續(xù)走高。

在3D NAND量產(chǎn)方面，盡管各廠全力推動(dòng)3D NAND量產(chǎn)，但進(jìn)展不夠順利，良率不高。2016年三星3D NAND到年底生產(chǎn)比重才提升至40%，主要用于生產(chǎn)自家品牌的SSD、嵌入式產(chǎn)品。東芝、美光、SK海力士幾家占比更是不到10%，東芝和SK海力士基本上不對(duì)外銷售3DNAND，僅美光對(duì)外銷售部分3DNAND。2DNAND產(chǎn)出減少，3DNAND產(chǎn)出有限是導(dǎo)致2016年市場(chǎng)供應(yīng)緊張的主因。

主流廠商擴(kuò)產(chǎn)，2017年成3D NAND落地元年

三星是最早量產(chǎn)3D NAND的廠商，其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星至少1~2年時(shí)間。Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel之后才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，主要是面向企業(yè)級(jí)市場(chǎng)。

這四家巨頭公司生產(chǎn)3D NAND閃存所用的技術(shù)不同，堆棧的層數(shù)也不一樣。2017年原廠3D技術(shù)都將提升到64層堆疊，單顆Die存儲(chǔ)密度可以提升到512Gb，從原廠工廠規(guī)劃可以看出，四大廠商將全面進(jìn)入3D時(shí)代，預(yù)計(jì)3D NAND產(chǎn)能將從2017年Q2開始將逐漸釋放出來。

下游需求強(qiáng)勁+產(chǎn)能短期釋放困難，NAND價(jià)格仍有上行空間

盡管NAND價(jià)格經(jīng)歷下半年的持續(xù)上揚(yáng)，但仍然未有下行跡象，2017年價(jià)格依然存在較大的上行空間。上漲邏輯主要來源于以下幾個(gè)方面：

(一)智能手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品更新迭代需求迫切，不斷提升包括存儲(chǔ)器在內(nèi)硬件配置是智能手機(jī)紅海生存的策略

當(dāng)前全球智能手機(jī)市場(chǎng)趨于飽和，主流手機(jī)廠商為爭(zhēng)奪市場(chǎng)份額不斷提高硬件配置。目前各廠商主流級(jí)產(chǎn)品普遍搭載4G或6G的RAM，64G以上的ROM，刺激對(duì)存儲(chǔ)器的需求。據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，華為和OPPO因存儲(chǔ)器供應(yīng)短缺，將在下季度砍單10%。Strategy Analytics統(tǒng)計(jì)，2016年Q3全球商務(wù)智能手機(jī)出貨量達(dá)1.12億部，同比增長(zhǎng)19.4%。

SSD與傳統(tǒng)HDD相比，具有體積小、讀取速度快，散熱要求低等優(yōu)勢(shì)，未來必將成為個(gè)人電腦和服務(wù)器硬盤的首選存儲(chǔ)介質(zhì)。隨著個(gè)人、企業(yè)、互聯(lián)網(wǎng)服務(wù)行業(yè)、工業(yè)應(yīng)用等對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的增加，2016年SSD市場(chǎng)需求表現(xiàn)強(qiáng)勁。在消費(fèi)類市場(chǎng)，SSD正在快速吞噬HDD市場(chǎng)份額，且主流容量正在由120GB向240GB需求轉(zhuǎn)移。在企業(yè)級(jí)市場(chǎng)，SSD平均容量也超過1.2TB。

(二)SSD需求崛起，明年將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，拉動(dòng)NAND需求

2016年全球SSD出貨量達(dá)1.3億臺(tái)，較2015年成長(zhǎng)35%，存儲(chǔ)密度將達(dá)到440億GB當(dāng)量，約占NAND Flash總產(chǎn)量的38%，預(yù)計(jì)2017年增至690億GB。據(jù)DRAM eXchange預(yù)估，2017年全球整體SSD需求增長(zhǎng)率將達(dá)到60%，或?qū)⑷〈度胧疆a(chǎn)品成為NAND Flash最大的應(yīng)用市場(chǎng)。

自2016年Q2起，各大存儲(chǔ)器廠商加速2D NAND轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND進(jìn)程，廠商將資源更多投入到3D NAND的研發(fā)和生產(chǎn)中，2DNAND產(chǎn)量受到限制。閃存顆粒的整體輸出降低，必然會(huì)影響SSD等終端產(chǎn)品的出貨量。

(三)主流半導(dǎo)體廠商處于2DNAND向3DNAND過渡期，2DNAND產(chǎn)能削減和3DNAND產(chǎn)能難以短期大量釋放導(dǎo)致供給端增長(zhǎng)有限，明年供給端依然承壓

由于2D NAND生產(chǎn)線被3D NAND代替，加上3D NAND的量產(chǎn)嚴(yán)重不足，良品率和性能難以保證，短期內(nèi)產(chǎn)能不會(huì)有大的釋放。這將可能從整體上導(dǎo)致閃存顆粒的總出廠量無法滿足市場(chǎng)需求，抬高NAND市場(chǎng)價(jià)格。

據(jù)預(yù)測(cè)，2017年NAND閃存的產(chǎn)能僅會(huì)增加6%，在2D閃存市場(chǎng)占比逐步走低的情況下,3DNAND的供貨在2017年三季度之后才會(huì)趨于穩(wěn)定。

DRAM行業(yè)回暖，明年有望持續(xù)攀升

DRAM行業(yè)狀況持續(xù)回暖。在經(jīng)歷連續(xù)18個(gè)月的價(jià)格下跌后，DRAM產(chǎn)品價(jià)格較最低值時(shí)已經(jīng)大幅回升超過50%，而除PC領(lǐng)域外，其他行業(yè)的需求回升也開始逐步顯現(xiàn)、預(yù)計(jì)將繼續(xù)推動(dòng)DRAM產(chǎn)品價(jià)格回暖。

DRAM eXchange預(yù)估，2017年整體DRAM供給位元成長(zhǎng)將小于20%，為歷年來最低，在需求面沒有明顯轉(zhuǎn)弱的前提下，預(yù)估全年度DRAM供給成長(zhǎng)將小于需求成長(zhǎng)，可望帶動(dòng)DRAM價(jià)格持續(xù)攀高，維持供貨商全面獲利的狀態(tài)。

全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模約410億美元,其中三星、SK海力士、美光已經(jīng)呈現(xiàn)三分天下的架勢(shì)，三家占據(jù)95%以上的市場(chǎng)份額，行業(yè)具有寡頭壟斷特征。技術(shù)革新推進(jìn)，DRAM集中度趨勢(shì)增強(qiáng)

三星無論工藝、產(chǎn)能還是占有率都有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。2014年第一個(gè)量產(chǎn)20nmDRAM工藝之后，再次領(lǐng)先并量產(chǎn)18nmDRAM。SK海力士預(yù)計(jì)明年年初量產(chǎn)18nmDRAM。美光目前還停留在20nm的路上，預(yù)計(jì)2017年下半年完成向1Xnm級(jí)別產(chǎn)品的遷移，與三星技術(shù)差距為達(dá)1年左右，行業(yè)壟斷性有增強(qiáng)趨勢(shì)。

DDR4正式取代DDR3成為市場(chǎng)主流

隨著市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)變以及20納米逐漸成熟，DDR4的生產(chǎn)比例越來越高。2015年由于英特爾(Intel)平臺(tái)支援度的問題，DDR4的導(dǎo)入主要發(fā)生在伺服器端，并且已經(jīng)率先在第四季取代DDR3成為主流。DRAM eXchange預(yù)估，個(gè)人電腦/筆記型電腦端由新平臺(tái)Skylake開始采用DDR4，將會(huì)在2016年第二季起放量，成為主流解決方案。

2014年10月14 日中國(guó)工信部宣布國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱大基金)成立，進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域成為中國(guó)半導(dǎo)體計(jì)劃的第一步。中國(guó)工信部電子信息司司長(zhǎng)丁文武主導(dǎo)的半導(dǎo)體小組屬意武漢新芯成為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃的首要重點(diǎn)區(qū)域。武漢新芯進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，大舉建廠，加上紫光和合肥市政府后續(xù)也都有意在大陸蓋DRAM廠。中國(guó)在存儲(chǔ)領(lǐng)域長(zhǎng)期布局，步履艱難。

除了大基金外，中芯國(guó)際、湖北省科技投資集團(tuán)、湖北基金、華芯投資等都會(huì)投資，遠(yuǎn)期計(jì)劃要募集到240億美元的規(guī)模，資金第一階段用于建立一家專注于NAND閃存生產(chǎn)的工廠;第二階段建立一家專注于DRAM芯片生產(chǎn)的工廠;第三階段將建立起專門為供應(yīng)商服務(wù)的能力。

紫光集團(tuán)曾試圖收購(gòu)美國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商美光科技，但交易未獲成功。紫光系及相關(guān)公司將共同出資設(shè)立長(zhǎng)江控股長(zhǎng)江存儲(chǔ)的控制。紫光控股將出資197億元持有長(zhǎng)江控股51.04%股權(quán)，該舉或?yàn)榛谖錆h新芯主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)注入紫光國(guó)芯做準(zhǔn)備。

存儲(chǔ)領(lǐng)域具有高資本和高技術(shù)門檻，呈現(xiàn)寡頭特性。目前由前4大存儲(chǔ)巨頭壟斷，中國(guó)企業(yè)與國(guó)外巨頭存在較大差距。DRAM市場(chǎng)三強(qiáng)鼎立的狀態(tài)結(jié)構(gòu)穩(wěn)固，使得中國(guó)欲進(jìn)軍存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)仍將面臨眾多挑戰(zhàn)。