2017年，內(nèi)存條一路瘋漲，這可讓閃存廠商喜笑顏開，可是，最近一個(gè)多月的時(shí)間內(nèi)，內(nèi)存價(jià)格開始普遍下降，內(nèi)存真的能重回白菜價(jià)?

雖然PC持續(xù)萎靡多年，但對(duì)著游戲PC市場(chǎng)的火熱，SSD的閃存芯片需求的強(qiáng)勢(shì)增長，所以，2017年導(dǎo)致整個(gè)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的需求是逆勢(shì)上揚(yáng)。

還有就是智能手機(jī)的閃存芯片需求的強(qiáng)勢(shì)增長。今年智能手機(jī)的容量進(jìn)一步增大，從之前的2-3GB快速增加到64GB、128GB以及256GB，這將消耗大量閃存芯片。

市場(chǎng)需求大漲，而各大閃存廠商面臨著技術(shù)升級(jí)，導(dǎo)致今年產(chǎn)能不足，并不能改變供不應(yīng)求的局面，導(dǎo)致市場(chǎng)長期處于供應(yīng)不足的狀態(tài)，價(jià)格自然就水漲船高了。

除了上游產(chǎn)能是絕對(duì)閃存漲價(jià)的關(guān)鍵，但是對(duì)于內(nèi)存漲價(jià)內(nèi)存廠商也功不可沒，越是在供應(yīng)不足、售價(jià)上漲的情況下，部分廠商越不愿意出貨，反而囤積居奇，有些經(jīng)銷商也是如此。

手頭有貨也不出，賭的就是價(jià)格繼續(xù)漲，而廠商、經(jīng)銷商人為的限制出貨，又進(jìn)一步加大了市場(chǎng)空缺，從而形成了惡性循環(huán)。

各大廠商增加產(chǎn)能 2018年將成轉(zhuǎn)折點(diǎn)

解鈴還需系鈴人，要想徹底解決內(nèi)存、閃存漲價(jià)的問題，還需要讓市場(chǎng)回到供應(yīng)平衡的狀態(tài)。目前，手機(jī)容量，閃存容量的提升已經(jīng)是大勢(shì)所趨，注定了未來的需求還會(huì)增長，所以問題的關(guān)鍵是上游廠商增加產(chǎn)能。

各大廠商在2017年投入大量預(yù)算進(jìn)行新工廠建設(shè)，以提升閃存產(chǎn)能。三星今年6月份在韓國平澤市啟用了號(hào)稱全球***的閃存工廠，主要生產(chǎn)64層堆棧3D閃存，今年下半年正在加速量產(chǎn)。

除韓國本土，中國西安也是三星重要的閃存產(chǎn)地， 8月底三星宣布在西安投資70億美元升級(jí)工廠，預(yù)計(jì)三年內(nèi)投產(chǎn)。

美光在去年收購華亞科之后也承諾增加對(duì)臺(tái)灣的投資，預(yù)計(jì)每年投資20億美元，要把臺(tái)灣工廠打造成全球內(nèi)存芯片制造中心，制程工藝也會(huì)從目前的25nm逐步提升到1xnm工藝。

SK Hynix今年初也宣布了新的投資計(jì)劃，其內(nèi)存芯片的主產(chǎn)地是在中國無錫，占了全球內(nèi)存芯片15%的產(chǎn)能。此外，SK Hynix還將在韓國投資2.2萬億韓元(約合128億人民幣)建設(shè)閃存工廠，未來也會(huì)將主力從36層、48層堆棧提升到72層堆棧。

可以說全球主要的內(nèi)存、閃存廠商這一兩年都宣布了新的工廠擴(kuò)建計(jì)劃，大部分工廠會(huì)在2018年投產(chǎn)。

讓廣大DIY玩家期盼的內(nèi)存、閃存從上漲變成持平甚至降價(jià)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)就在2018年，屆時(shí)3D閃存將完全取代平面閃存，64層及更高的72層、96層堆棧成為主流。

閃存在容量、成本之間取得均衡、存儲(chǔ)密度更高的QLC閃存也會(huì)進(jìn)入市場(chǎng)，這將大幅提升閃存的位元容量，緩解市場(chǎng)需求。

中國布局閃存芯片市場(chǎng)

現(xiàn)在各大閃存芯片廠商正在加緊量產(chǎn)3D閃存，這個(gè)是全球全球閃存芯片廠商必爭的制高點(diǎn)。對(duì)于芯片，中國芯片產(chǎn)業(yè)基本空白，幾乎100%依賴進(jìn)口，以致于中國廠商只能任由三星、東芝、美光等公司開價(jià)。

好在中國已經(jīng)加大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資，***領(lǐng)域就是存儲(chǔ)芯片。2016年紫光公司收購了新芯公司，在此基礎(chǔ)上成立了長江存儲(chǔ)科技，成為了國內(nèi)自主存儲(chǔ)芯片發(fā)展的***梯隊(duì)。

就在近日，光寶科技與中國紫光集團(tuán)共同宣布成立存儲(chǔ)合資公司，項(xiàng)目在蘇州簽約，總資本額1億美元。

據(jù)資料顯示，長江存儲(chǔ)32層3D NAND芯片順利通過電學(xué)特性等各項(xiàng)指標(biāo)測(cè)試，達(dá)到預(yù)期要求。預(yù)計(jì)2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并于2019年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿載。

可以預(yù)見，一旦未來兩年國產(chǎn)3D閃存、內(nèi)存芯片投入生產(chǎn)，內(nèi)存、閃存市場(chǎng)將會(huì)迎來劇變，美日韓壟斷市場(chǎng)的局面將會(huì)被打破，無論價(jià)格和產(chǎn)能都會(huì)出現(xiàn)改變。

總之，就目前來講，內(nèi)存價(jià)格還會(huì)繼續(xù)上漲，但是這種狀況很快就要被打破，到了2018年，隨著各大廠商產(chǎn)能的提升，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)穩(wěn)定下來，不會(huì)像現(xiàn)在這樣瘋狂了。

還有就是中國自主閃存的介入，也將打破三星等大廠的壟斷，閃存產(chǎn)能將會(huì)急劇擴(kuò)張，進(jìn)而推動(dòng)市場(chǎng)降價(jià)。