美國工程院院士、中科院外籍院士、IEEE會士、加州大學(xué)伯克利分校教授、前臺積電CTO胡正明教授也許是最資格談IC產(chǎn)業(yè)未來的人，因?yàn)樗€是FinFET工藝、FD-SOI工藝的發(fā)明人，這兩項(xiàng)半導(dǎo)體工藝是當(dāng)今IC產(chǎn)業(yè)的支柱。

日前在概倫電子技術(shù)研討會上，胡正明教授發(fā)表了《FinFET與未來IC技術(shù)》的演講，介紹了他對IC產(chǎn)業(yè)未來的看法，他認(rèn)為IC產(chǎn)業(yè)還能再發(fā)展100年，對于IC產(chǎn)業(yè)前景還是很樂觀的。

根據(jù)胡教授所說，IC產(chǎn)業(yè)之所以還能繼續(xù)發(fā)展是因?yàn)閮蓚€因素，一是因?yàn)楣枋堑厍蛏虾康诙嗟脑?，幾乎取之不盡。

大家都說芯片是沙子做的，這話雖然是調(diào)侃，但確實(shí)有道理，儲量豐富是保證硅基半導(dǎo)體成本降低的重要因素，目前也有非硅基的半導(dǎo)體材料，比如氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等等，但是他們的成本不便宜，制造工藝也沒有現(xiàn)在的硅基半導(dǎo)體成熟，主要用于特殊市場。

胡正明教授提出的第二個因素則是關(guān)于芯片功耗，他認(rèn)為芯片功耗還能再降低1000倍。換句話說，胡正明教授也是同意摩爾定律終結(jié)的，芯片性能可能不會有大規(guī)模提升了，但是能效方面還大有可為，功耗還有足夠多的降低空間。

胡正明教授有關(guān)芯片功耗降低1000倍的說法也不是***次提起了，過去兩年中他在不同的場合也多次表達(dá)過類似的說法，去年接受中國電子報(bào)采訪時(shí)就有過表態(tài)

“集成電路的發(fā)展路徑并不一定非要把線寬越做越小，現(xiàn)在存儲器已經(jīng)朝三維方向發(fā)展了。當(dāng)然我們希望把它做得更小，可是我們也可以采取其他方法推進(jìn)集成電路技術(shù)的發(fā)展，比如減少芯片的能耗。這個方向芯片還有1000倍的能耗可以降低。線寬的微縮總是有一個極限的，到了某種程度，就沒有經(jīng)濟(jì)效應(yīng)，驅(qū)動人們把這條路徑繼續(xù)走下去。但是我們并不一定非要一條路走到黑，我們也可以轉(zhuǎn)換一個思路，同樣可能實(shí)現(xiàn)我們想要達(dá)到的目的。”——胡正明