【51CTO.com原創(chuàng)稿件】在數(shù)字經(jīng)濟的今天，爆炸式增長的數(shù)據(jù)總量不但對存儲容量提出了更高的要求，大量非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)以及新技術(shù)、新應(yīng)用的層出不窮，也需要更快的存儲性能預(yù)以支撐。隨著5G、AI、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)的普及，全閃存存儲正快速在各行各業(yè)中落地，這給諸如美光、英特爾等上游芯片廠商帶來了巨大的利好。

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美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana

　　作為存儲芯片行業(yè)的巨頭之一，美光于2020年11月正式批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，真正實現(xiàn)了閃存產(chǎn)品密度和性能上的重大提升。美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana的接受記者采訪時表示，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，存儲是過去二十年中增長最快的領(lǐng)域。美光無論是在存儲技術(shù)還是產(chǎn)品量產(chǎn)方面，都走在了業(yè)界前面。他強調(diào)，美光將持續(xù)與中國大陸客戶密切合作，用創(chuàng)新的產(chǎn)品和一流的技術(shù)，持續(xù)為客戶提供價值，為中國企業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型賦能。

　　存儲產(chǎn)業(yè)迎來高速增長期

　　數(shù)字化轉(zhuǎn)型已經(jīng)成為推動企業(yè)未來發(fā)展的重中之重。隨著數(shù)據(jù)量的增長，無論是傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)中心，還是云數(shù)據(jù)中心和邊緣數(shù)據(jù)中心，對于存儲的性能和容量都提出了更高的要求，這也給存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了巨大的利好。

　　根據(jù)預(yù)測，2021年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計將增長12%，而存儲技術(shù)領(lǐng)域的增長將達到19%，遠超過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的增長速度。

　　Sumit Sadana告訴記者，除了云端和智慧邊緣之外，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智慧城市、智慧交通等的快速發(fā)展，對存儲芯片的需求也會越來越高，而美光都能夠這些場景應(yīng)用提供最適合的產(chǎn)品，幫助企業(yè)解決存儲挑戰(zhàn)，獲得價值。

　　Sumit Sadana表示， 資本市場對于2021年存儲的預(yù)期是DRAM增長15%以上，NAND的增長30% 左右。美光希望能夠適應(yīng)市場需求，快速推出更多更好的產(chǎn)品。

　　談到近期存儲芯片的價格波動，Sumit Sadana認為NAND產(chǎn)品雖然會根據(jù)市場的需求出現(xiàn)一定的價格彈性變化，但整體供應(yīng)是充足的。未來市場將會根據(jù)需求進行自行調(diào)整。他表示，2021年 NAND的產(chǎn)能會穩(wěn)定下來，美光正在與客戶更密切地合作，希望更早地了解到客戶的需求，及時地供應(yīng)他們所需要的產(chǎn)品。

　　技術(shù)創(chuàng)新幫助企業(yè)降本增效

　　實現(xiàn)存儲容量與性能的平衡，3D NAND技術(shù)是業(yè)界普遍采用的技術(shù)。

　　當(dāng)前，128層 3D NAND是市場中的主流技術(shù)，大部分量產(chǎn)產(chǎn)品都采用了這一技術(shù)。如何實現(xiàn)更高層的堆疊，是各大芯片廠商未來致力于研發(fā)的方向。而美光，則率先研發(fā)并量產(chǎn)了176 層 NAND的產(chǎn)品。

　　Sumit Sadana表示，為了確保產(chǎn)品能夠滿足行業(yè)對于數(shù)據(jù)增長的需求，美光開創(chuàng)性地結(jié)合了堆棧式替換柵極架構(gòu)、創(chuàng)新的電荷捕獲技術(shù)和 CMOS 陣列下 (CuA)技術(shù)。美光的 3D NAND 專家團隊利用專有的 CuA 技術(shù)取得了大幅進步，該技術(shù)在芯片的邏輯器件上構(gòu)建了多層堆棧，將更多內(nèi)存集成封裝在更緊湊的空間中，極大縮小了 176 層 NAND 的裸片尺寸，提升了單片晶圓的存儲容量。除此之外，美光還將 NAND 單元技術(shù)從傳統(tǒng)的浮動?xùn)艠O過渡到電荷捕獲，提高了未來 NAND 的可擴展性和性能。除了電荷捕獲技術(shù)，美光還采用了替換柵極架構(gòu)，利用其中的高導(dǎo)電性金屬字線取代硅層，實現(xiàn)了出類拔萃的 3D NAND 性能。采用該技術(shù)后，美光將大幅度降低成本，繼續(xù)領(lǐng)跑業(yè)界。

　　據(jù)介紹， 通過采用這些先進技術(shù)，美光提升了產(chǎn)品耐用度，這將使各種寫入密集型應(yīng)用特別受益，例如航空航天領(lǐng)域的黑匣子以及視頻監(jiān)控錄像等。在移動設(shè)備存儲中，176 層 NAND 的替換柵極架構(gòu)可將混合工作負載性能提高 15%，從而支持超快速邊緣計算、增強型人工智能推理以及圖像顯示細膩的實時多人游戲。

　　“美光的科技和研發(fā)團隊非常了不起，因為我們做到的裸片尺寸比同類最佳競品小 30%，同時功耗比競爭對手低，能效卻比競爭對手高。”Sumit Sadana表示，美光將把握5G、人工智能、云和智能邊緣領(lǐng)域的增長機會，并在廣泛的產(chǎn)品組合中部署這項技術(shù)，在 NAND 應(yīng)用的各個領(lǐng)域中實現(xiàn)價值。

　　“美光的愿景是變革信息時代，豐富生活體驗。公司的宗旨是成為全球內(nèi)存與存儲解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。”采訪最后， Sumit Sadana如是說。

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