算上顯存的話，DDR DRAM至今已經(jīng)發(fā)展到了第六代，也就是說DDR5內(nèi)存正在逐步成為市場主流，但是它的“老祖宗”--即初代的DDR內(nèi)存的普及卻是險中求勝，只因為當時它有個蹩腳的對手——Rambus DRAM。

從奔騰二到奔騰四初期，電腦用的內(nèi)存為SDRAM，常見有PC100、PC133等頻率，內(nèi)存帶寬達到1064MB/s，但已經(jīng)無法滿足奔騰四4這個CPU的“胃口”，新一代內(nèi)存呼之欲出。為了提升內(nèi)存的帶寬，以及達到獨占市場的目的，Intel與一家叫做Rambus的公司聯(lián)合推出了Rambus DRAM內(nèi)存（簡稱為RDRAM）。

和SDRM相比，Rambus DRAM采用了RISC(精簡指令集計算機)理論，依靠更高的時鐘頻率（包括300MHz、350MHz和400MHz）來簡化每個時鐘周期的數(shù)據(jù)量，其數(shù)據(jù)通道接口只有16bit（由兩條8bit的數(shù)據(jù)通道組成），遠低于SDRAM的64bit。

由于Rambus DRAM采用雙速率傳輸結構，同時利用時鐘脈沖的上升與下降沿進行數(shù)據(jù)傳輸，因此在300MHz下的數(shù)據(jù)傳輸量可以達到300MHz×16bit×2/8=1.2GB/s，400MHz時可達到1.6GB/s，雙通道PC800MHz RDRAM的數(shù)據(jù)傳輸量更是達到了3.2GB/s，因此一度被認為是奔騰四的絕配。

同時，不要以為內(nèi)存帶散熱馬甲是近幾年的事，因為Rambus DRAM一出生就是自帶散熱馬甲的，如下圖，而且仔細觀察散熱馬甲還是用鉚釘永久固定在PCB上的，同時內(nèi)存上還貼有發(fā)熱的標識。

更有意思的是，這款內(nèi)存的DRAM顆粒既不是早期的TSOP封裝，也不是現(xiàn)在常見的BGA封裝，而且是采用一種系統(tǒng)封裝模式，從下面這張滿是水印的拆截圖可以看到，每顆DRAM的顆粒就像CPU的內(nèi)核一樣是裸露的晶片，因此才使用這種永久性的散熱馬甲封裝，其發(fā)熱量可見一般。

更有意思的是，Rambus DRAM采用了類似串行的數(shù)據(jù)傳輸方式，從下面的原理來看，數(shù)據(jù)依次通過RIMM1到RIMM2，因此Rambus DRAM內(nèi)存必須要成對使用，可以說是“返古”了。

不要以為這就完了，因為Rambus DRAM內(nèi)存系統(tǒng)在主板上還不能留有空槽，不然依然無法實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸，需要有RSL信號終結器。當然這東西并不是什么高科技電子元器件，實際上它只是一根金手指數(shù)量與RamBus內(nèi)存相同的PCB！

因此，這種結構的主板，不僅單根內(nèi)存出現(xiàn)問題會導致系統(tǒng)無法通過自檢，如果內(nèi)存在插槽上的安裝的位置不對同樣會無法通過自檢。而且各家主板的定義不同，例如有的主板是1、2槽插內(nèi)存，3、4槽插RSL信號終結器，而有的主板則是交叉安裝。

得到了Intel的“寵愛”，Rambus DRAM不禁飄飄然，售價比SDRAM高了一倍左右，但成本僅比SDRAM高了3%。除此之外，其他的內(nèi)存廠商想要生產(chǎn)Rambus DRAM內(nèi)存，不僅需要打造全新的生產(chǎn)線，還要向Rambus繳納高昂的專利費。

因此生產(chǎn)Rambus DRAM內(nèi)存的廠商僅有三星等少數(shù)幾家，不僅市面上內(nèi)存難買，更出現(xiàn)了Intel購買奔騰4 CPU就搭售Rambus DRAM內(nèi)存的窘境。

正所謂“天欲讓其亡，必讓其先狂”，受制于高昂的價格，以及成對使用+終結器的奇葩工作原理導致的高使用成本，Rambus DRAM終究沒有實現(xiàn)普及。

而售價更低的DDR DRAM內(nèi)存受到市場的歡迎，而Intel后來也開始默認使用DDR內(nèi)存，Rambus DRAM在市場掀起短暫的浪花之后終于消失于歷史的長河之中。?