荷蘭政府正式頒布了有關(guān)先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的額外出口管制的新條例。正如其在今年三月發(fā)布的消息中所述，這些新的出口管制條例主要針對的對象為先進(jìn)的芯片制造技術(shù)，包括先進(jìn)的沉積設(shè)備和浸潤式光刻系統(tǒng)。該措施將于2023年9月1日正式生效。

荷蘭對外貿(mào)易和發(fā)展合作部長Liesje Schreinemacher表示：“我們采取這一步驟是出于國家安全考慮。對于將受到影響的公司來說，知道他們可以期待什么是好事。這將給他們一定的時間來適應(yīng)新的規(guī)則。”

根據(jù)這項新的規(guī)則，荷蘭的半導(dǎo)體設(shè)備廠商將必須為某些類型的先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備的出口申請出口許可。

該訂單涉及先進(jìn)半導(dǎo)體開發(fā)和制造的一些非常具體的技術(shù)。由于它們的具體使用方式，這些半導(dǎo)體可以為某些先進(jìn)的軍事應(yīng)用做出關(guān)鍵貢獻(xiàn)。因此，貨物和技術(shù)的無管制出口可能構(gòu)成國家安全風(fēng)險。

荷蘭在這方面負(fù)有額外的責(zé)任，因為荷蘭在這一領(lǐng)域具有獨特的領(lǐng)導(dǎo)地位。與一般的出口管制政策一樣，這一額外的規(guī)則并不是針對特定國家。

“我們仔細(xì)考慮了這一決定，并盡可能準(zhǔn)確地起草了新的規(guī)則?！盠iesje Schreinemacher說，這樣，我們就可以解決最重要的漏洞，而不會對全球芯片制造產(chǎn)業(yè)造成不必要的干擾。

關(guān)于許可證申請方面，荷蘭政府表示，預(yù)計一次可以申請24個許可證，然后每年可申請20個許可證。該計劃涉及荷蘭只有極少數(shù)公司生產(chǎn)的特定設(shè)備。授權(quán)義務(wù)僅適用于該計劃所涵蓋公司總產(chǎn)品組合的一小部分。

從限制政策來看，主要受影響的荷蘭企業(yè)為ASML和ASM International。

一、根據(jù)荷蘭公布的出口管制的新規(guī)來看，此次限制材料、設(shè)備及技術(shù)具體如下：

1、3B001.l ：EUV  pellicle

EUV pellicle 即EUV光罩保護膜，是在EUV曝光制程中保護光罩（mask）免受污染的超薄膜形態(tài)的消耗性材料。因為EUV設(shè)備的結(jié)構(gòu)是光經(jīng)過反射鏡后，再到光罩，再投射到芯片，因此光源損失很大。要想使光源損失降到最低，必須使用穿透率超過90%的EUV pellicle。

目前光罩保護膜主要供應(yīng)商是荷蘭ASML、日本三井化學(xué)和韓國S&S Tech，此外三星也在研發(fā)EUV pellicle。

2、3B001.m：

EUV pellicle生產(chǎn)設(shè)備。

3、3B001.f.4：

光刻設(shè)備，如下所示：

使用光電或X射線方法對準(zhǔn)和曝光芯片的直接步進(jìn)式芯片或掃描儀設(shè)備，具有以下任一項或兩項：

①.光源的波長短于193nm；

這里指的就是EUV光刻機，其工作的光源波長為13.5nm（DUV，包括浸沒式DUV的光源波長都是193nm，只不是浸沒式DUV的光源經(jīng)過了浸沒式系統(tǒng)使得光源發(fā)生折射后，等效132nm波長）。荷蘭很早就在美國的要求下，限制了EUV光刻機的對華出口，雖然荷蘭政府之前一直否認(rèn)受到了美國政府的干預(yù)。

早在2018年初，ASML與中芯國際正式達(dá)成了首臺最先進(jìn)的EUV光刻機的采購訂單，價值約1.2億美元，原本預(yù)計將于2019年底交付，但是卻因荷蘭政府沒有向ASML發(fā)放新的出口許可證，導(dǎo)致無法交付?，F(xiàn)在荷蘭正式將明文將EUV列入了出口限制當(dāng)中，也算是將原本臺面下的限制正式放到了臺面之上。

②.光源的波長等于或大于193nm：

   a.能夠產(chǎn)生具有45nm或更小的最小可分辨特征尺寸（MRF）的圖案；和

   b.小于或等于1.50nm的最大專用卡盤覆蓋（DCO，是通過相同的光刻系統(tǒng)在芯片上曝光的現(xiàn)有圖案上對準(zhǔn)新圖案的準(zhǔn)確度）值。

技術(shù)說明：

最小可分辨特征大小（MRF）根據(jù)以下公式計算：

荷蘭DUV光刻機一律管制出口？一文看懂

其中K因子為：0.25，（MRF）與分辨率相同。

正如芯智訊此前解讀日本新規(guī)時所指出的那樣，以上公式其實是瑞利公式，即光刻機分辨率為 R=k*λ（光源波長）/NA（數(shù)值孔徑）。荷蘭政府對于K1常數(shù)的限定為0.25，并且限定能夠生產(chǎn)的最小可分辨特征尺寸小于或等于45nm的光刻機。并且，DCO值小于或等于1.50nm。

根據(jù)ASML公布的數(shù)據(jù)顯示，其NXT1980系列的分辨率為38納米左右，但是其DCO值是小于等于1.6nm。荷蘭政府的要求似乎是需要同時滿足最小可分辨特征尺寸小于或等于45nm和DCO值小于或等于1.50nm這兩個條件，因此，ASML的NXT1980系列依然可以不受出口限制影響。

4、3B001.d.12：

用于金屬剝離的原子層沉積（ALD）設(shè)備

①.具有以下所有特征：

a.一種以上的金屬源，其中一種已被開發(fā)用于鋁（AI）前體；和

b.原材料容器設(shè)計用于45°C以上的溫度；

②.設(shè)計用于沉積具有以下所有特征的“臺階式”金屬：

a.沉積碳化鈦鋁（TiAlC）；和

b.高于4.0eV的“特定功函數(shù)的金屬”的可能性。

技術(shù)說明：“特定功函數(shù)的金屬”是一種調(diào)節(jié)晶體管閾值電壓的材料。

某半導(dǎo)體設(shè)備大廠內(nèi)部人士告訴芯智訊：“TiAlC是調(diào)HKMG里功函數(shù)的材料，限制它等于16nm HKMG被限（28 TiAlC用PVD），只能用Poly Gate，不能用Metal Gate了?！?/p>

芯智訊注：這類制程總體可分為2類，分別為High-k/Metal Gate（HKMG）及 Poly/SiON。HKMG是金屬柵極/高介電常數(shù)絕緣層結(jié)構(gòu)，Poly/SiON多晶硅氮氧化硅。Poly/SiON功耗表現(xiàn)較好且價格較低，但HKMG可提供較佳的效能表現(xiàn)，因此對于性能要求較高及應(yīng)用于高階電子產(chǎn)品的芯片多采用HKMG。

5、3B001.a.4：

設(shè)計用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜SiGe外延生長的設(shè)備。

具有以下所有特征：

a.在工藝步驟之間維持用于高真空（小于或等于0.01Pa）或惰性氣體（水和氧分壓小于0.01Pa）的多個腔室和裝置；

b.至少一個預(yù)處理室，所述預(yù)處理室設(shè)計用于表面制備以清潔晶片的表面；和

c.外延沉積工作溫度685°C或以下。

6、3B0001.d.19：

設(shè)計用于在介電常數(shù)低于3.3的金屬線之間的深度與高度之比（AR）等于或大于1:1的小于25nm寬的空間中沉積由無空穴等離子體增強的Low K電介質(zhì)的設(shè)備。

芯智訊注：這項規(guī)則主要用于限制專門用來沉積Low K材料的沉積設(shè)備。Low K材料主要用于層間介質(zhì)，減小電容，從而減小RC信號延遲，提高器件的工作頻率。一般low-k材料介電常數(shù)低于3.0（High-k材料的介電常數(shù)大于SiO2的介電常數(shù)3.9）。猜測這里應(yīng)該是限制生長這類Low K材料的CVD/PVD設(shè)備。

7、3D007：

專為開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d..19中規(guī)定的設(shè)備而設(shè)計的軟件。

8、3E005：

開發(fā)、生產(chǎn)或使用本法規(guī)3B01.l.、3B01.m.、3B001.f.4、3B001.d.12、3B00.a.4或3B001.d..19中規(guī)定的設(shè)備所需的技術(shù)。

二、ASML發(fā)聲明：NXT:1980系列浸潤式光刻系統(tǒng)可以繼續(xù)出口

針對荷蘭政府的出口管制新規(guī)，ASML第一時間也通過官網(wǎng)發(fā)布了一份聲明。

ASML表示，根據(jù)新出口管制條例規(guī)定，ASML需要向荷蘭政府申請出口許可證才能發(fā)運最先進(jìn)的浸潤式DUV系統(tǒng)（即TWINSCAN NXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng)）。荷蘭政府將決定是否授予或拒發(fā)出口許可證，并將向ASML提供許可證所附條件的細(xì)節(jié)。

ASML的EUV光刻系統(tǒng)在此前已經(jīng)受到限制。

ASML其他光刻系統(tǒng)，即TWINSCAN NXT：1980系列浸潤式光刻系統(tǒng)，以及更低端的光刻設(shè)備的出口未受荷蘭政府管控。

據(jù)ASML相關(guān)人士向芯智訊透露，目前NXT:1980系列已經(jīng)升級到了NXT:1980 F，NXT:1980D是兩代之前的產(chǎn)品了。之前的NXT:1980 D/E都是基于NXT3平臺，F(xiàn)是新的NXT4平臺，主要是升級了晶圓處理速度，每小時的生產(chǎn)晶圓數(shù)量從275wph上升到了295wph，而且NXT4平臺還能支持后續(xù)升級到330-350wph。

ASML表示，將繼續(xù)遵守適用的出口管制條例，其中包括荷蘭、歐盟及美國的出口管制條例。荷蘭政府新頒布的出口管制條例將于2023年9月1日生效，在此日期前，ASML可開始提交出口許可證申請。荷蘭政府將視具體情況批準(zhǔn)或拒絕這些申請。 ASML強調(diào)，其認(rèn)為荷蘭政府這些管制條例不會對已發(fā)布的 2023 年財務(wù)展望以及于2022年 11 月投資者日宣布的長期展望產(chǎn)生重大影響。

三、對ASM International影響幾何？

ASM International是為全球最大的芯片制造商提供半導(dǎo)體晶圓加工設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商，專注于沉積設(shè)備，擁有最大的單晶圓 ALD 應(yīng)用組合，在外延設(shè)備領(lǐng)域的份額也不斷增長，并且提供 PECVD 和立式爐設(shè)備。2022 年，ASM還增加了一條新的產(chǎn)品線：碳化硅 (SiC) 外延設(shè)備。

資料顯示，全球薄膜沉積設(shè)備市場主要被美國應(yīng)用材料和泛林集團、日本東京電子所占據(jù)。但是，荷蘭ASM在薄膜沉積設(shè)備市場也具有一定的市場份額。比如在ALD 設(shè)備領(lǐng)域，ASM大約占據(jù)全球ALD設(shè)備55%的市場份額，是全球最大、市占率最高的ALD設(shè)備供應(yīng)商。ALD業(yè)務(wù)也是ASM最大的設(shè)備營收來源，占比一半以上。

2022年ASM營收達(dá)到24.11億歐元，同比增長33%，營業(yè)利潤同比增長29%至6.32億歐元，這是該公司連續(xù)第六年實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。ASM的營收增長主要受益于最先進(jìn)節(jié)點的邏輯代工和內(nèi)存新需求，尤其在3D NAND領(lǐng)域，ASM的ALD設(shè)備收獲了創(chuàng)紀(jì)錄的訂單，此外，先進(jìn)DRAM器件中ALD High-k金屬柵極的需求也持續(xù)強勁。

正如荷蘭新規(guī)當(dāng)中所列，ASM  International的ALD設(shè)備及外延設(shè)備可能將會受到影響。

目前ASM  International尚未發(fā)布聲明對于荷蘭的限制新規(guī)進(jìn)行回應(yīng)。

四、中國駐荷蘭大使館回應(yīng)

6月30日，荷蘭政府正式出臺半導(dǎo)體制造設(shè)備出口管制措施之后，中國駐荷蘭大使館回應(yīng)稱，荷蘭政府此舉這是對出口管制措施的濫用，是對自由貿(mào)易和國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴(yán)重背離，中方對此堅決反對。

同時，中國駐荷蘭大使館強調(diào)，荷方以所謂“國家安全”為由人為設(shè)限毫無道理，完全站不住腳。在科技領(lǐng)域人為制造壁壘，在法律上、道義上沒有依據(jù)。荷蘭政府這種行為不僅損害中國企業(yè)的正當(dāng)合法權(quán)益，也會讓荷蘭企業(yè)蒙受損失，損害全球產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的穩(wěn)定，還將破壞荷支持自由貿(mào)易的良好信譽。

中國駐荷蘭大使館還呼吁“荷方從維護國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中荷經(jīng)貿(mào)合作大局出發(fā)，立即糾正錯誤做法?！?/p>