?今日，長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）在2022年閃存峰會（FMS）上正式發(fā)布了基于晶棧?（Xtacking）3.0技術的第四代TLC三維閃存X3-9070。相比長江存儲上一代產品，X3-9070擁有更高的存儲密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設計，性能提升的同時功耗更低，進一步釋放系統級產品潛能。

長江存儲第四代TLC三維閃存X3-9070

 自2018年問世以來，晶棧?（Xtacking）技術已成為長江存儲助推閃存行業(yè)發(fā)展的關鍵動力之一。存儲陣列和外圍電路的混合鍵合工藝為閃存產品帶來了更高的密度、更快的I/O速度和更短的產品上市周期。隨著長江存儲晶棧?3.0的推出，新一代X3系列閃存產品將為大數據、5G、智能物聯（AloT）及其他領域的多樣化應用帶來新的機遇。 

經歷了晶棧?從1.0到3.0的迭代發(fā)展，長江存儲在三維異構集成領域已積累了豐富的經驗，并基于晶棧?技術成功打造了多款長江存儲系統解決方案產品，包括SATA III、PCIe Gen3、Gen4固態(tài)硬盤，以及用于移動通信和其他嵌入式應用的eMMC、UFS等嵌入式存儲產品，獲得了行業(yè)合作伙伴的廣泛好評。 

“長江存儲自研晶棧?3.0架構的問世是其在3D NAND賽道上的重要突破，” Forward Insights 創(chuàng)始人兼首席分析師 Gregory Wong表示，“事實證明，存儲陣列和外圍邏輯電路的混合鍵合技術對推動3D NAND 技術發(fā)展和創(chuàng)新至關重要。搭載先進的閃存技術晶棧?3.0平臺，X3-9070是一個關鍵的行業(yè)里程碑。這也預示著，存儲單元和外圍邏輯電路混合鍵合的技術，將有望成為未來的行業(yè)主流?！?nbsp;

作為一款創(chuàng)新產品，長江存儲X3-9070兼具出色的性能、更佳的耐用性以及高質量可靠性，并通過美國電子器件工程聯合委員會（JEDEC）定義的多項測試標準。 

X3-9070具有如下技術特點：

l 性能：X3-9070實現高達2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI5.0規(guī)范；相較于長江存儲上一代產品實現了50%的性能提升；

l 密度：得益于晶棧?3.0的架構創(chuàng)新，X3-9070成為了長江存儲歷史上密度最高的閃存顆粒產品，能夠在更小的單顆芯片中實現1Tb的存儲容量；

l 提升系統級產品體驗：得益于創(chuàng)新的6-plane設計，X3-9070相比傳統4-plane，性能提升50%以上，同時功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本（TCO）。 

長江存儲執(zhí)行副總裁陳軼表示：“X3-9070閃存顆粒是長江存儲近年來在三維閃存領域的匠心之作，它擁有出色的性能表現和極高的存儲密度，能夠快速高效地應用于主流商用場景之中。面對蓬勃發(fā)展的5G、云計算、物聯網、自動駕駛、人工智能等新技術帶來的全新需求和挑戰(zhàn)，長江存儲將始終以晶棧?為基點，不斷開發(fā)更多高品質閃存產品，協同上下游存儲合作伙伴，用晶棧?為存儲產業(yè)賦能，踐行‘成為存儲技術的領先者，全球半導體產業(yè)的核心價值貢獻者’的使命和責任?！?nbsp;

長江存儲致力于成為全球半導體產業(yè)鏈值得信賴的合作伙伴，持續(xù)拓展創(chuàng)新邊界，推動三維閃存技術向更高、更快、更強發(fā)展。