2016年年底，由于全球存儲(chǔ)顆粒供需緊張，導(dǎo)致存儲(chǔ)價(jià)格大幅上漲，不僅僅只有固態(tài)硬盤市場(chǎng)就連此前一直低迷的內(nèi)存市場(chǎng)也跟著價(jià)格上漲。2017年初始，在所有的DIY硬件中，內(nèi)存就率開啟了瘋狂的漲價(jià)模式，同時(shí)，SSD固態(tài)硬盤的價(jià)格也跟風(fēng)上揚(yáng)，讓存儲(chǔ)市場(chǎng)成為近期DIY領(lǐng)域關(guān)注的焦點(diǎn)。

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什么原因?qū)е麓鎯?chǔ)價(jià)格大幅度上漲?

追尋原因，在存儲(chǔ)設(shè)備漲價(jià)的背后元兇則是閃存顆粒。那么，很多用戶不禁要問了，隨著閃存技術(shù)的升級(jí)，制作工藝的不斷換代，價(jià)格應(yīng)當(dāng)是不斷下降的?漲價(jià)，總是離不開市場(chǎng)的供需需求，這也是這次存儲(chǔ)價(jià)格上漲的最主要的原因。

閃存顆粒到底是什么?

閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單位，而不是以單個(gè)的字節(jié)為單位。根據(jù)用途和規(guī)格不同，閃存顆粒有很多不同的變種，存儲(chǔ)設(shè)備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。

根據(jù)NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC(單層次存儲(chǔ)單元)、MLC(雙層存儲(chǔ)單元)以及TLC(三層存儲(chǔ)單元)，此三種存儲(chǔ)單元在壽命以及造價(jià)上有著明顯的區(qū)別。

SLC=Single-LevelCell，即1bit/cell，速度快壽命長(zhǎng)，價(jià)格超貴(約MLC3倍以上的價(jià)格)，約10萬次擦寫壽命。

MLC=Multi-LevelCell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價(jià)格一般，約3000---10000次擦寫壽命。

TLC=Trinary-LevelCell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度相對(duì)慢壽命相對(duì)短，價(jià)格便宜，約500次擦寫壽命，是當(dāng)下主流廠商***閃存顆粒。

在閃存的市場(chǎng)上，分別以三星、東芝、閃迪、英特爾、SK海力士、美光等六家顆粒制造商為主，據(jù)統(tǒng)計(jì)它們六家的閃存產(chǎn)能幾乎占據(jù)了NAND閃存市場(chǎng)近9成的市場(chǎng)比重，幾乎所有的工藝的創(chuàng)造和升級(jí)，都是由這么幾家原廠所主導(dǎo)。

更新?lián)Q代 閃存顆粒嚴(yán)重缺貨：

但是隨著晶圓物理極限的不斷迫近，固態(tài)硬盤上單體的存儲(chǔ)單元內(nèi)部的能夠裝載的閃存顆粒已經(jīng)接近極限了，更加專業(yè)的術(shù)語表述就是單die能夠裝載的顆粒數(shù)已經(jīng)到達(dá)極限了，要想進(jìn)一步擴(kuò)大單die的可用容量，就必須在技術(shù)上進(jìn)行創(chuàng)新，于是3D NAND技術(shù)也就應(yīng)運(yùn)而生了。

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在面對(duì)2D NAND向3D NAND的更新?lián)Q代中，除了三星、美光較成熟之外，其他家的3D NAND良品率并不太高，量產(chǎn)嚴(yán)重不足，致整體的NAND顆粒總出廠量不足，供應(yīng)無法滿足市場(chǎng)需求，各大SSD廠商在爭(zhēng)奪本就不夠的閃存顆粒，必然會(huì)在競(jìng)爭(zhēng)中抬高NAND出廠價(jià)，因而才引發(fā)了當(dāng)下固態(tài)硬盤市場(chǎng)價(jià)格的瘋漲，成了固態(tài)硬盤等存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格上漲的***大原因。

上游閃存顆粒價(jià)格瘋漲:

據(jù)消息稱，進(jìn)入2017年僅過了一個(gè)月的時(shí)間，4Gb DDR4內(nèi)存顆粒的協(xié)議價(jià)已經(jīng)從2.837美元上升到3.347美元，漲幅達(dá)到了18%!而這僅僅是上游廠商的顆粒原料價(jià)，可想而知到一條內(nèi)存成品誕生，其零售價(jià)的漲幅會(huì)非常的大。

那么存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格上漲幅度如此厲害，什么時(shí)候才能回歸到正常?

對(duì)于固態(tài)硬盤市場(chǎng)，2017年各大閃存廠商都在穩(wěn)定和成熟的發(fā)展其3D NAND技術(shù)。2017年將是3D NAND普及的元年，到時(shí)候?qū)⒋笠?guī)模供應(yīng)市場(chǎng)固態(tài)硬盤價(jià)格也將回歸正常。

內(nèi)存方面，遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有固態(tài)硬盤市場(chǎng)樂觀， 目前DRAM顆粒的行情呈現(xiàn)繼續(xù)上漲的趨勢(shì)，遠(yuǎn)沒有NAND閃存樂觀，三星、美光等巨頭都表示，沒有增產(chǎn)DRAM計(jì)劃，這將更一步加劇DRAM供不應(yīng)求的局面。這樣局面將導(dǎo)致內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)上漲。

總而言之，存儲(chǔ)設(shè)備漲價(jià)的背后元兇則是閃存顆粒，可以預(yù)計(jì)近期內(nèi)存和固態(tài)硬盤價(jià)格難以出現(xiàn)大幅跳水，尤其是內(nèi)存價(jià)格。對(duì)于固態(tài)硬盤，17年正處于普及其，價(jià)格可能會(huì)出現(xiàn)回落，所以，對(duì)于打算升級(jí)和新組裝機(jī)器的用戶們，不妨再觀望一陣，再觀望觀望。