[[184923]]

無(wú)論采用SSD還是自定義閃存卡，全閃存陣列已然成為存儲(chǔ)世界中跑車級(jí)的存在，***的IOPS以及與主機(jī)系統(tǒng)的快速連接等特性使得無(wú)人能出其右。一臺(tái)***的全閃存陣列可以在提供4,000,000 IOPS的同時(shí)，再搭配兩塊以上的40 Gbps以太網(wǎng)卡。

相比之下，混合存儲(chǔ)陣列就成為了行人一般的存在。尤其是對(duì)于支持4到8塊SSD但整體上還是要靠HDD來(lái)?yè)纹鸫蟛糠秩萘康那闆r，這類陣列理論上要比全閃存陣列更為便宜，前提是后者的單位存儲(chǔ)成本要更高。

“理論上”這個(gè)詞兒很關(guān)鍵。畢竟如果考慮到傳統(tǒng)陣列的高利潤(rùn)，那么價(jià)格將會(huì)是一個(gè)很復(fù)雜的數(shù)字。這也使得全閃存陣列廠商有的時(shí)候也只能賠本兒賺吆喝。即便如此，閃存對(duì)于用戶來(lái)說(shuō)還是多多少少有些昂貴。

如果故事到這里就結(jié)束了，那么廠商們就可以憑著全閃存的性能做出更多的文章。在高性能計(jì)算領(lǐng)域，尤其是在交易平臺(tái)或者工程模擬方面，性能就是王道，這樣一來(lái)那些能提供4,000,000 IOPS的陣列還愁找不到買家嗎?但是對(duì)于大多數(shù)場(chǎng)景，TCO的確是一件不得不考慮的事情，有時(shí)候其重要性甚至要高于IOPS。

關(guān)于成本

混合存儲(chǔ)的賣點(diǎn)就在于非全固態(tài)。其余的地方可以換成更為廉價(jià)的、慢速的硬盤。雖然全閃存陣列廠商只推固態(tài)存儲(chǔ)，但是他們卻悄悄引入了自動(dòng)分層技術(shù)，進(jìn)而拖慢了整臺(tái)存儲(chǔ)的性能，也包括云存儲(chǔ)或者對(duì)象存儲(chǔ)。全閃存最初的銷售建議只是順帶加快現(xiàn)有SAN環(huán)境的速度，沒(méi)想到***卻成為了***的噱頭。

然而，就像賣家說(shuō)的那樣，“慢著，我們還有好貨!”陣列控制器在功能性上起著很大的作用。對(duì)于一臺(tái)常見(jiàn)的全閃存陣列來(lái)說(shuō)，數(shù)據(jù)壓縮功能就具有很多超過(guò)傳統(tǒng)RAID陣列的優(yōu)勢(shì)。由于現(xiàn)有帶寬已經(jīng)足夠滿足跟服務(wù)器間的正常通信，全閃存陣列則利用部分多余帶寬在后臺(tái)進(jìn)行數(shù)據(jù)壓縮操作。在***IOPS這個(gè)級(jí)別上，該操作將會(huì)消耗掉相當(dāng)一部分計(jì)算能力和IOPS。由于全閃存陣列擁有足夠的計(jì)算能力來(lái)支持后臺(tái)壓縮，這也使得其可以完爆傳統(tǒng)的混合存儲(chǔ)陣列。

這個(gè)壓縮操作所帶來(lái)的直接影響就是，閃存以及任何附帶的HDD或者對(duì)象存儲(chǔ)的空間將會(huì)提升5倍左右。這對(duì)全閃存陣列的高昂成本在很大程度上起到了平衡作用。

而這種影響在市場(chǎng)上的表現(xiàn)則是雙重的。全閃存和混合陣列正在快速占領(lǐng)傳統(tǒng)RAID陣列的市場(chǎng)。IDC報(bào)告顯示，全閃存陣列在2016年第二季度西歐的外部存儲(chǔ)市場(chǎng)的占有率為17%，而混合存儲(chǔ)陣列的占有率則為46%。

關(guān)于模具設(shè)計(jì)

如果我們看看今后的發(fā)展情況，就會(huì)發(fā)現(xiàn)閃存的成本將會(huì)上升。2017年年中倍受青睞的閃存技術(shù)將會(huì)是3D NAND，隨之而來(lái)的則是單塊晶片的容量提升。盡管制造單塊晶片或者模具的成本在大幅度提升，但是單體容量的增長(zhǎng)速度卻要遠(yuǎn)超與此，所以，閃存的價(jià)格將會(huì)在2017年后半段出現(xiàn)明顯下降。與此同時(shí)，我們也會(huì)看到會(huì)有一大批閃存晶片廠商隨之上線投產(chǎn)。

這種模具成本的變化趨勢(shì)將會(huì)對(duì)全閃存陣列相對(duì)于混合陣列在價(jià)格體系上帶來(lái)很多幫助。HDD將會(huì)在2018年隨著更大容量SSD的出現(xiàn)而壽終正寢，如2016 Flash Memory Summit上所描述的那樣，Samsung計(jì)劃在2020年發(fā)布的100TB SSD將會(huì)取代那些容量在10TB至15TB之間的低容量企業(yè)級(jí)近線(nearline)硬盤。如果從這個(gè)角度看，全閃存存儲(chǔ)最終將會(huì)贏得這場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)。

然而，受到***一代***閃盤現(xiàn)象級(jí)性能的影響，全閃存的特性正在不斷變化。目前來(lái)說(shuō)，單塊SSD就可以實(shí)現(xiàn)10,000,000 IOPS，而且我們預(yù)測(cè)到這個(gè)數(shù)字還會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。如果要把僅僅幾塊這種級(jí)別(或者同類產(chǎn)品)的硬盤掛到一個(gè)單獨(dú)的機(jī)柜里，I/O帶寬的最終實(shí)現(xiàn)則需要一種更為緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

這種類型的產(chǎn)品已經(jīng)在超融合系統(tǒng)市場(chǎng)上出現(xiàn)了，其幕后推手不是廉價(jià)的控制器，而是性能強(qiáng)勁的服務(wù)器引擎。借助SSD體積的優(yōu)勢(shì)(100TB硬盤僅為2.5英寸)，超融合系統(tǒng)有更多的空間為其服務(wù)器配置速度超快的內(nèi)置硬盤以及存儲(chǔ)用硬盤，當(dāng)然所有這些都采用了數(shù)據(jù)壓縮功能。到2018年，這樣一臺(tái)2U的產(chǎn)品將會(huì)擁有200TB的服務(wù)器存儲(chǔ)以及2PB的二級(jí)存儲(chǔ)，壓縮比為5：1。

從本質(zhì)上來(lái)看，這種設(shè)計(jì)和全閃存陣列在某段時(shí)間是極其相似的，只不過(guò)后者在某些情況下仍然采用了雙控制器加專用閃盤的配置。這樣一來(lái)，留給混合存儲(chǔ)的生存空間就真的不多了。

關(guān)于連接性

接口的問(wèn)題終究是要被進(jìn)一步落實(shí)的。今天的全閃存陣列依然支持Fibre Channel(FC)，和它們之前作為SAN加速器的時(shí)候沒(méi)什么區(qū)別。但是為了更好地應(yīng)對(duì)2017年的數(shù)據(jù)洪流，網(wǎng)絡(luò)性能的提升勢(shì)在必行。這其中就包括了RDMA，該技術(shù)將會(huì)促使NVM Express over Fabrics的出現(xiàn)，這也是一種對(duì)目前用在***SSD中的NVME訪問(wèn)協(xié)議的擴(kuò)展。

我們目前正處在“Fabric”發(fā)展的岔路口。RDMA是Ethernet和InfiniBand市場(chǎng)的主流，而就目前情況看，前者已經(jīng)穩(wěn)操勝券。然而這就將FC推到了前線，不僅在性能和市場(chǎng)發(fā)展上都不具優(yōu)勢(shì)，而且還沒(méi)有RDMA的經(jīng)驗(yàn)。

這也就意味著全閃存存儲(chǔ)在2018年將會(huì)沖破FC SAN的限制來(lái)迎合軟件定義存儲(chǔ)的新模型?？偟膩?lái)說(shuō)，全閃存陣列會(huì)有很大的可能性在未來(lái)的幾年時(shí)間內(nèi)接管整個(gè)市場(chǎng)。