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5月6日，IBM官方宣布推出全球首個(gè)2nm芯片制造技術(shù)，該技術(shù)與當(dāng)前主流的7nm技術(shù)相比，預(yù)計(jì)將帶來(lái)45%的性能提升或75%的能耗降低。

IBM指出，這一2 nm芯片技術(shù)的潛在優(yōu)勢(shì)預(yù)計(jì)將包括：

手機(jī)電池壽命增加三倍，以現(xiàn)在用戶使用情況來(lái)看，用戶只需要每四天為設(shè)備充電一次；

降低數(shù)據(jù)中心的碳排放，數(shù)據(jù)中心占全球能源使用量的百分之一，如果將其所有服務(wù)器更改為基于2 nm技術(shù)的處理器預(yù)計(jì)會(huì)大大減少碳排放量；

能夠更快處理應(yīng)用程序、上網(wǎng)，提升筆記本電腦應(yīng)用體驗(yàn)；

有助于在自動(dòng)駕駛汽車場(chǎng)景應(yīng)用中更快地進(jìn)行物體檢測(cè)，縮短響應(yīng)時(shí)間。

IBM研究部高級(jí)副總裁DaríoGil表示：“這種新型2 nm芯片所體現(xiàn)的IBM創(chuàng)新對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體和IT行業(yè)至關(guān)重要，這也是IBM應(yīng)對(duì)嚴(yán)峻技術(shù)挑戰(zhàn)的產(chǎn)物。”

據(jù)外媒報(bào)道，IBM新型2nm芯片每平方毫米具有約3.33億個(gè)晶體管。相比之下，臺(tái)積電最先進(jìn)的芯片采用的5nm工藝每平方毫米約有1.73億個(gè)晶體管，而三星的5nm芯片每平方毫米則約有1.27億個(gè)晶體管。

據(jù)悉，臺(tái)積電和三星目前正在生產(chǎn)5nm芯片，英特爾則致力于7nm芯片技術(shù)。按投產(chǎn)進(jìn)度來(lái)看，臺(tái)積電目前計(jì)劃在今年年底開工投產(chǎn)的4nm芯片工藝，大批量生產(chǎn)要等到2022年；3nm芯片技術(shù)投產(chǎn)進(jìn)程預(yù)計(jì)更晚，要到2022年下半年；2nm芯片技術(shù)更是仍處于相對(duì)早期的開發(fā)階段。

這樣的時(shí)間推算也是在半導(dǎo)體公司不遇到拖延的情況下的假設(shè)。