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Intel固態(tài)硬盤(pán)路線(xiàn)圖:年底34nm、320GB

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根據(jù)路線(xiàn)圖,Intel的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品將在今年底全線(xiàn)轉(zhuǎn)入34nm生產(chǎn)工藝,容量也會(huì)最高提至320GB。面向企業(yè)市場(chǎng)的X25-E也會(huì)升級(jí)到34nm,不過(guò)由于是SLC規(guī)格,容量只有64/128GB,但這也比目前翻了一番。

根據(jù)路線(xiàn)圖,Intel的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品將在今年底全線(xiàn)轉(zhuǎn)入34nm生產(chǎn)工藝,容量也會(huì)***提至320GB。

2.5寸的X25-M MLC和1.8寸的X18-M MLC當(dāng)前采用50nm NAND閃存芯片,容量有80/160GB兩種,年底則會(huì)提供80/160/320GB三種容量,且都是34nm產(chǎn)物。

面向企業(yè)市場(chǎng)的X25-E也會(huì)升級(jí)到34nm,不過(guò)由于是SLC規(guī)格,容量只有64/128GB,但這也比目前翻了一番。

除了工藝改進(jìn)、容量翻番,新款固態(tài)硬盤(pán)的控制器也會(huì)升級(jí),因此性能自然會(huì)更好,當(dāng)然價(jià)格上也會(huì)更高。

除此之外,Intel將在明年***季度推出Turbo Memory技術(shù)的升級(jí)版“Braidwood”,將配合Q57/P57/H57等新一代芯片組為主流PC帶來(lái)固態(tài)硬盤(pán)級(jí)別的性能,容量有4/8/16GB三種,同樣是34nm工藝產(chǎn)物。

Intel固態(tài)硬盤(pán)路線(xiàn)圖:年底34nm、320GB

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責(zé)任編輯:Robbin Liu 來(lái)源: 驅(qū)動(dòng)之家
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